特許

J-GLOBAL ID：201503040899325065

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ、これを用いた電力増幅器、及びヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法

発明者： 大部 功 ,  梅本 康成 ,  黒川 敦
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (5件)： 稲葉 良幸 ,  大貫 敏史 ,  江口 昭彦 ,  内藤 和彦 ,  佐藤 睦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-275894
公開番号（公開出願番号）：特開2014-120668
特許番号：特許第5660115号
出願日： 2012年12月18日
公開日（公表日）： 2014年06月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 温度上昇にしたがって抵抗値が増加するバラスト抵抗層を備えるヘテロ接合バイポーラトランジスタであって、 前記バラスト抵抗層は、 第1の温度領域と、該第1の温度領域より高温の第2の温度領域とにおいて正の抵抗率温度係数を有する第1のバラスト抵抗層と、 前記第1の温度領域において負の抵抗率温度係数を有し、前記第2の温度領域において正の抵抗率温度係数を有する第2のバラスト抵抗層と、を備える、 ことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。

IPC (6件)：

H01L 21/331 ( 200 6.01) ,  H01L 29/737 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8222 ( 200 6.01) ,  H01L 27/06 ( 200 6.01) ,  H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 29/72 H ,  H01L 27/06 101 D ,  H01L 27/04 H

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 半導体電力増幅器及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-307852   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平2-086322
  
• 半導体装置およびそれを用いた無線通信機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-379283   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• バラスト抵抗及びヘテロ接合バイポ-ラトランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-085212   出願人：シャープ株式会社