特許

J-GLOBAL ID：201503041198393933

対象に導入される管

発明者： ヴァイス,シュテフェン
出願人/特許権者： コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ
代理人 (3件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦 ,  大貫 進介
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-544021
公開番号（公開出願番号）：特表2015-502214
出願日： 2012年11月29日
公開日（公表日）： 2015年01月22日
要約：

本発明は、対象内に導入される管に関する。好ましくはカテーテルである管(1)は、管状ブレイド(2)を有し、管状ブレイド(2)は複数の導電性ストランド(3)から作られる。複数のストランド(3)の末端(4)は、管(1)の長手方向にずらして配置される。複数のストランドの末端が管の長手方向にずらして配置されるために、磁気共鳴映像化処置の間に生成される部分的な高周波加熱は、単一の長手方向位置に集中せず、複数の導電性ストランドの末端がずらして配置される、ずらし配置領域において管の長手方向に分配される。この管の長手方向に沿った高周波加熱の分配は、高周波加熱によって生成される最高温度を低減し、従って、管が導入される対象を熱によって損傷する恐れを低減する。

請求項（抜粋）：

対象に導入される管であって、当該管は、 複数の導電性ストランドから作られた管状ブレイドを有し、 前記複数の導電性ストランドの末端は、当該管の長手方向にずらして配置されている、 管。

IPC (1件)：

A61M 25/14

FI (1件)：

A61M25/00 306B

Fターム (7件)：

4C167AA01 ,  4C167BB02 ,  4C167BB03 ,  4C167BB15 ,  4C167CC04 ,  4C167FF01 ,  4C167HH09