特許

J-GLOBAL ID：201503043773730001

SiC単結晶の製造装置及び製造方法

発明者： 楠 一彦 ,  亀井 一人 ,  矢代 将斉 ,  岡田 信宏 ,  大黒 寛典 ,  加渡 幹尚 ,  坂元 秀光
出願人/特許権者： 新日鐵住金株式会社 ,  トヨタ自動車株式会社
代理人 (5件)： 上羽 秀敏 ,  松山 隆夫 ,  坂根 剛 ,  川上 桂子 ,  吉永 元貴
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012065420
公開番号（公開出願番号）：WO2012-173251
出願日： 2012年06月15日
公開日（公表日）： 2012年12月20日
要約：

シードシャフトに取り付けられた種結晶を効率良く冷却することができる、SiC単結晶の製造装置を提供することを、目的とする。Si-C溶液(16)を収容する坩堝(14)と、SiC種結晶(36)が取り付けられる下端面(34)を有するシードシャフト(30)とを備える。シードシャフトは、坩堝の高さ方向に延び、内側に第1流路(60)を形成する内管(48)と、内管を収容し、内管との間に第2流路(SP1)を形成する外管(50)と、外管の下端開口を覆い、下端面を有する底部とを備える。第1流路及び第2流路のうち、一方の流路は冷却ガスが下方に流れる導入流路であり、他方の流路は冷却ガスが上方に流れる排出流路である。シードシャフトの軸方向から見て、SiC種結晶の60%以上の領域が、導入流路を形成する管の内側の領域に重なる。

請求項（抜粋）：

SiC単結晶の製造装置であって、 Si-C溶液を収容する坩堝と、 SiC種結晶が取り付けられる下端面を有するシードシャフトとを備え、 前記シードシャフトは、 内側に第1流路を形成する内管と、 前記内管を収容し、前記内管との間に第2流路を形成する外管と、 前記外管の下端開口を覆い、前記下端面を有する底部とを備え、 前記第1流路及び前記第2流路のうち、一方の流路は冷却ガスが下方に流れる導入流路であり、他方の流路は前記冷却ガスが上方に流れる排出流路であり、 前記シードシャフトの軸方向から見て、前記SiC種結晶の60%以上の領域が、前記導入流路を形成する管の内側の領域に重なる、製造装置。

IPC (3件)：

C30B 29/36 ,  C30B 19/06 ,  H01L 21/208

FI (3件)：

C30B29/36 A ,  C30B19/06 Z ,  H01L21/208 Z

Fターム (24件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077CG02 ,  4G077ED06 ,  4G077EG05 ,  4G077EG11 ,  4G077EG12 ,  4G077EG16 ,  4G077EG17 ,  4G077EG18 ,  4G077EG22 ,  4G077HA12 ,  4G077QA04 ,  4G077QA38 ,  4G077QA54 ,  4G077QA56 ,  4G077QA62 ,  4G077QA71 ,  5F053AA12 ,  5F053AA33 ,  5F053DD02 ,  5F053GG01 ,  5F053HH01