特許
J-GLOBAL ID:201503044506452376
超電導導体の製造方法、超電導導体および超電導導体用基板
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
中島 淳
, 加藤 和詳
, 福田 浩志
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP2012069750
公開番号(公開出願番号):WO2013-018870
出願日: 2012年08月02日
公開日(公表日): 2013年02月07日
要約:
少なくとも一方の面に溝が形成された基材を準備する基材準備工程と、前記基材の前記溝が形成された側の表面に超電導層を形成する超電導層形成工程と、前記溝の部分で前記基材を切断する切断工程と、を有する超電導導体の製造方法である。
請求項(抜粋):
少なくとも一方の面に溝が形成された基材を準備する基材準備工程と、
前記基材の前記溝が形成された側の表面に超電導層を形成する超電導層形成工程と、
前記溝の部分で前記基材を切断する切断工程と、
を有する超電導導体の製造方法。
IPC (4件):
H01B 13/00
, H01B 12/06
, C01G 1/00
, C01G 3/00
FI (4件):
H01B13/00 565D
, H01B12/06
, C01G1/00 S
, C01G3/00
Fターム (22件):
4G047JA04
, 4G047JC02
, 4G047KF10
, 4G047KG01
, 4G047KG04
, 4G047LA07
, 4G047LB01
, 5G321AA02
, 5G321AA04
, 5G321BA01
, 5G321BA03
, 5G321CA04
, 5G321CA21
, 5G321CA24
, 5G321CA27
, 5G321CA41
, 5G321CA51
, 5G321DB22
, 5G321DB37
, 5G321DB39
, 5G321DB40
, 5G321DB41
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