特許
J-GLOBAL ID：201503044546077357

マルチレベルソーラーセルメタライゼーション

発明者：
モスレヒ メールダッド エム

モスレヒ メールダッド エム について

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カプール パワン

カプール パワン について

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クラマー カール ジョセフ

クラマー カール ジョセフ について

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スタルカップ トム

スタルカップ トム について


出願人/特許権者：
ソレクセル、インコーポレイテッド

ソレクセル、インコーポレイテッド について


代理人 (7件)： 辻居 幸一 ,  熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  西島 孝喜 ,  須田 洋之 ,  上杉 浩 ,  近藤 直樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-550535
公開番号（公開出願番号）：特表2015-507848
出願日： 2012年12月30日
公開日（公表日）： 2015年03月12日
要約：
ソーラーセル用のマルチレベルメタライゼーションに関する製造方法および構造、ならびに薄膜裏面コンタクトソーラーセルを形成するための製造方法および構造が提供される。【選択図】 図78
請求項（抜粋）：
裏面コンタクト結晶半導体ソーラーセルであって、 パターン形成したエミッタおよびベース領域を形成するための受光するおもて側表面および裏側表面を含む結晶半導体基板と、 前記結晶基板の裏側表面上にエミッタ電極およびベース電極の互いに組み合わせられたパターンを有する第1の導電性メタライゼーション層と、 前記結晶基板の裏側表面に張り付けられ、前記第1のメタライゼーション層を第2の導電性メタライゼーション層から電気的に絶縁する電気絶縁層と、 前記電気絶縁層に形成された導電性ビアプラグを通じて前記第1の導電性インターコネクト層に高導電性セル相互接続を提供する第2の導電性メタライゼーション層と、 を備え、前記第2の導電性インターコネクト層がエミッタ電極およびベース電極の互いに組み合わせられたパターンを有する、裏面コンタクト結晶半導体ソーラーセル。
IPC (3件)：
H01L 31/022 ,  H01L 31/068 ,  H01L 31/035
FI (3件)：
H01L31/04 260 ,  H01L31/06 300 ,  H01L31/04 340
Fターム (18件)：
5F151AA02 ,  5F151AA16 ,  5F151CB20 ,  5F151CB21 ,  5F151CB27 ,  5F151DA03 ,  5F151DA10 ,  5F151EA02 ,  5F151EA19 ,  5F151FA06 ,  5F151FA15 ,  5F151FA17 ,  5F151GA04 ,  5F151GA15 ,  5F151HA03 ,  5F151JA03 ,  5F151JA04 ,  5F151JA05
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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