特許

J-GLOBAL ID：201503044765342635

発光素子アレイ

発明者： 星野 勝之 ,  内田 武志
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (2件)： 阿部 琢磨 ,  黒岩 創吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-245897
公開番号（公開出願番号）：特開2015-103783
出願日： 2013年11月28日
公開日（公表日）： 2015年06月04日
要約：

【課題】各発光素子の放熱性向上とアレイ集積度向上とを両立させ、発光素子アレイの単位面積当たりの出力向上を可能とする、発光素子アレイを提供する。【解決手段】基板101と、基板の上に設けられ、メサ構造体を構成する第1の半導体層103と、第1の半導体層の、基板が設けられた面とは逆側の面上であって、メサ構造体上に設けられた活性層104と、活性層の上に設けられた第2の半導体層105とを有し、第1の半導体層、活性層、および第2の半導体層のいずれも窒化物半導体からなり、基板の面に垂直な方向に光を出射する発光素子100が、複数設けられた発光素子アレイ110であって、発光素子は、放熱層130を有し、放熱層は、発光素子の光軸方向から見て、メサ構造体の投影面と放熱層の投影面とが重ならない位置に設けられており、放熱層の投影面の面積が所定範囲内である発光素子アレイ。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板の上に設けられ、メサ構造体を構成する第1の半導体層と、 前記第1の半導体層の、前記基板が設けられた面とは逆側の面上であって、前記メサ構造体上に設けられた活性層と、 前記活性層の上に設けられた第2の半導体層と、 を有し、 前記第1の半導体層、前記活性層、および前記第2の半導体層のいずれも窒化物半導体からなり、前記基板の面に垂直な方向に光を出射する発光素子が、複数設けられた発光素子アレイであって、 前記発光素子は、放熱層を有し、前記放熱層は、前記発光素子の光軸方向から見て、前記メサ構造体の投影面と前記放熱層の投影面とが重ならない位置に設けられており、 前記発光素子の1素子において、前記光軸方向から見て、前記光軸に対して垂直な平面における前記メサ構造体の投影面の面積をSM、前記活性層の発光領域の投影面の面積をSOとするとき、前記放熱層の投影面の面積ST(μm2)が下記式(1)を満たすように構成されていることを特徴とする発光素子アレイ。 0<ST≦390×(SO/SM)0.65 (1)

IPC (3件)：

H01S 5/183 ,  H01S 5/323 ,  H01L 33/32

FI (3件)：

H01S5/183 ,  H01S5/323 610 ,  H01L33/00 186

Fターム (34件)：

5F141CA02 ,  5F141CA40 ,  5F141CA74 ,  5F141CA85 ,  5F141CA88 ,  5F141CA92 ,  5F141CA93 ,  5F141CB11 ,  5F141CB22 ,  5F141CB36 ,  5F173AC03 ,  5F173AC14 ,  5F173AC35 ,  5F173AC42 ,  5F173AC52 ,  5F173AD05 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AK21 ,  5F173AP05 ,  5F173AP33 ,  5F173AP45 ,  5F173AR14 ,  5F173AR72 ,  5F241CA02 ,  5F241CA40 ,  5F241CA74 ,  5F241CA85 ,  5F241CA88 ,  5F241CA92 ,  5F241CA93 ,  5F241CB11 ,  5F241CB22 ,  5F241CB36