特許
J-GLOBAL ID：201503045393963537
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
長谷川 芳樹
, 清水 義憲
, 古下 智也
, 城戸 博兒
, 池田 正人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-281610
公開番号（公開出願番号）：特開2013-065888
特許番号：特許第5738263号
出願日： 2012年12月25日
公開日（公表日）： 2013年04月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 回路面から突出する複数の突出電極を有する半導体ウエハを準備する工程と、
粘着剤層を有する基材フィルムと接着フィルムとを有するウエハ薄化加工兼用半導体用接着テープを、前記接着フィルム側を前記半導体ウエハの回路面に向けた状態で前記半導体ウエハに貼り付けることにより、前記複数の突出電極の間を埋めるように接着フィルムの層が形成された積層体とする工程と、
前記積層体の基材フィルム側から圧力を加えつつ、前記半導体ウエハを裏面側からバックグラインダによって研磨し、前記半導体ウエハの厚みを薄くする工程と、
前記半導体ウエハの回路面側に前記ウエハ薄化加工兼用半導体用接着テープが貼付けられたままの状態で、該ウエハ薄化加工兼用半導体用接着テープの積層体の裏面側にダイシングテープを貼付ける工程と、
前記基材フィルムをウエハ薄化加工兼用半導体用接着テープから剥離する工程と、
前記半導体ウエハと前記接着フィルムとを前記接着フィルム側からダイシングし、複数の接着フィルム付半導体チップとする工程と、
前記接着フィルム付半導体チップを前記ダイシングテープから持ち上げる工程と、
前記ダイシングテープから分離された前記接着フィルム付半導体チップを半導体装置の一部となる支持体の上に実装する工程と、
を有し、
前記積層体とする工程で、前記接着テープの前記接着フィルムの厚みが前記突出電極の高さよりも厚く、前記接着フィルムによって前記突出電極が覆われ、
前記実装する工程において、100〜250°Cの温度で0.1〜30秒の間加熱圧着をすることにより、前記接着フィルム付半導体チップと前記支持体との間を接続する、
半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/301 ( 200 6.01)
, H01L 21/304 ( 200 6.01)
, H01L 21/60 ( 200 6.01)
H01L 21/78 Q
, H01L 21/78 M
, H01L 21/78 P
, H01L 21/304 622 H
, H01L 21/60 311 S
