特許
J-GLOBAL ID：201503045875338184

窒化チタンを選択的にエッチングするための組成物および方法

発明者：
バーンズ,ジェフリー,エー.

バーンズ,ジェフリー,エー. について

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クーパー,エマニュエル,アイ.

クーパー,エマニュエル,アイ. について

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チェン,リ-ミン

チェン,リ-ミン について

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リッピー,スティーブン

リッピー,スティーブン について

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ラジャラム,レカー

ラジャラム,レカー について

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トゥ,シェン-ハン

トゥ,シェン-ハン について


出願人/特許権者：
インテグリス,インコーポレイテッド

インテグリス,インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 稲葉 良幸 ,  大貫 敏史
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-550456
公開番号（公開出願番号）：特表2015-506583
出願日： 2012年12月27日
公開日（公表日）： 2015年03月02日
要約：
金属導体、例えば、タングステンおよび絶縁体材料と比較して、窒化チタンおよび/またはフォトレジストエッチング残渣材料をその上に有するマイクロエレクトロニクスデバイスから窒化チタンおよび/またはフォトレジストエッチング残渣材料を選択的に除去するために有用な組成物。除去組成物は少なくとも1種の酸化剤および1種のエッチング液を含有し、選択性を確実にするために、様々な腐食抑制剤を含有してもよい。
請求項（抜粋）：
窒化チタンおよび/またはフォトレジストエッチング残渣材料をその上に有するマイクロエレクトロニクスデバイスの表面から窒化チタンおよび/またはフォトレジストエッチング残渣材料を選択的に除去するための組成物であって、少なくとも1種の酸化剤、少なくとも1種のエッチング液および少なくとも1種の溶媒を含み、過酸化水素を実質的に含まない組成物。
IPC (5件)：
H01L 21/308 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522
FI (4件)：
H01L21/308 A ,  H01L21/304 647Z ,  H01L21/304 647B ,  H01L21/88 Z
Fターム (57件)：
5F033HH33 ,  5F033MM01 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ20 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033XX21 ,  5F043AA21 ,  5F043AA40 ,  5F043BB14 ,  5F043BB27 ,  5F043GG03 ,  5F157AA48 ,  5F157AA64 ,  5F157AA93 ,  5F157AA94 ,  5F157AC01 ,  5F157BC03 ,  5F157BC05 ,  5F157BC07 ,  5F157BC12 ,  5F157BC13 ,  5F157BC54 ,  5F157BD02 ,  5F157BD05 ,  5F157BD09 ,  5F157BD51 ,  5F157BD58 ,  5F157BE12 ,  5F157BE23 ,  5F157BE32 ,  5F157BE35 ,  5F157BE42 ,  5F157BE52 ,  5F157BE53 ,  5F157BE54 ,  5F157BE56 ,  5F157BE57 ,  5F157BE58 ,  5F157BE59 ,  5F157BE60 ,  5F157BE63 ,  5F157BE65 ,  5F157BE69 ,  5F157BE70 ,  5F157BF12 ,  5F157BF33 ,  5F157BF39 ,  5F157BF49 ,  5F157BF93 ,  5F157CB01 ,  5F157DB03 ,  5F157DB18 ,  5F157DB37
引用特許：
出願人引用 (16件)
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審査官引用 (16件)
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