特許
J-GLOBAL ID：201503046087490443
膜の形成方法及び半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-068439
公開番号（公開出願番号）：特開2013-201272
特許番号：特許第5717681号
出願日： 2012年03月23日
公開日（公表日）： 2013年10月03日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1層上に設けられた前記第1層に含まれる材料とは異なる材料を含む第2層を貫通し前記第1層に到達する凹部を形成する工程と、
前記凹部の側面における前記第1層及び前記第2層に有機分子を含む材料を接触させ、前記凹部の側面を覆うように前記有機分子を含む単分子膜を形成する工程と、
前記単分子膜上に、絶縁膜を形成する工程と、
を備え、
前記単分子膜を形成する工程は、前記有機分子と、少なくとも前記第1層及び前記第2層のいずれかの層の材料と、をシランカップリング反応させることにより前記単分子膜を形成する工程を含み、
前記絶縁膜を形成する工程は、前記凹部を埋め込むように前記単分子膜上に前記絶縁膜を形成する工程を含む膜の形成方法。
IPC (7件)：
H01L 21/8247 ( 200 6.01)
, H01L 27/115 ( 200 6.01)
, H01L 21/76 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/788 ( 200 6.01)
, H01L 29/792 ( 200 6.01)
, H01L 21/316 ( 200 6.01)
H01L 27/10 434
, H01L 21/76 L
, H01L 29/78 371
, H01L 21/316 X
