特許

J-GLOBAL ID：201503046289499981

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 岩崎 太一 ,  満生 彰 ,  坂本 圭司 ,  森 啓之 ,  佐々 謙治
出願人/特許権者： ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人 (4件)： 筒井 大和 ,  菅田 篤志 ,  筒井 章子 ,  坂次 哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-148185
公開番号（公開出願番号）：特開2015-023075
出願日： 2013年07月17日
公開日（公表日）： 2015年02月02日
要約：

【課題】eDRAMのチップサイズの小型化を実現させる。【解決手段】ロジック回路領域Lを第1マスクPR6で覆った状態で、DRAMのメモリアレイ領域Mに設けたマスク膜MSKにエッチバックを施すことにより、選択MISFETのソースおよびドレイン上のシリサイドブロック膜SBLを残しながら、ゲート電極G1上のシリサイドブロック膜SBLを選択的に除去する。メモリアレイ領域Mを第2マスクで覆った状態で、ロジック回路領域LのMISFETのゲート電極G2表面およびソースおよびドレイン表面のシリサイドブロック膜SBLを除去する。そして、このシリサイドブロック膜SBLを利用して、選択MISFETのゲート電極G1、ロジック回路領域LのMISFETのゲート電極G2、および、ロジック回路領域LのMISFETのソースおよびドレインにシリサイド膜を形成する。【選択図】図14

請求項（抜粋）：

第1MISFETと第1容量素子が直列接続されてなるDRAMセルが行列状に複数配置されたメモリアレイ領域と、複数の第2MISFETが配置されたロジック回路領域とを有し、前記第1MISFETは、第1ゲート電極と第1ソース領域および第1ドレイン領域を有し、前記第2MISFETは、第2ゲート電極と第2ソース領域および第2ドレイン領域を有する半導体集積回路装置の製造方法であって、 (a)その主面に、前記メモリアレイ領域と、前記ロジック回路領域とを有する半導体基板を準備する工程、 (b)前記メモリアレイ領域において、前記半導体基板の主面上に、前記第1ゲート電極となる、第1上面と第1側面を有する第1シリコン片を、前記ロジック回路領域において、前記半導体基板の主面上に、前記第2ゲート電極となる、第2上面と第2側面を有する第2シリコン片を形成する工程、 (c)前記メモリアレイ領域において、前記半導体基板の主面に、前記第1ソース領域および前記第1ドレイン領域となる、第1主面を有する一対の第1半導体領域を、前記ロジック回路領域において、前記半導体基板の主面に、前記第2ソース領域および前記第2ドレイン領域となる、第2主面を有する一対の第2半導体領域を形成する工程、 (d)前記メモリアレイ領域および前記ロジック回路領域において、前記半導体基板の前記主面上に、前記第1シリコン片の前記第1上面、前記第1半導体領域の前記第1主面、前記第2シリコン片の前記第2上面および前記第2半導体領域の前記第2主面を覆う第1絶縁膜を形成する工程、 (e)前記第1シリコン片および前記第1半導体領域を覆うように、前記第1絶縁膜上にマスク膜を形成する工程、 (f)前記ロジック回路領域を覆い、前記メモリアレイ領域を露出した第1ホトレジスト膜を設けた状態で、前記マスク膜に第1エッチングを施し、前記第1シリコン片の前記第1上面において、前記第1絶縁膜を露出させる工程、 (g)前記マスク膜から露出した前記第1絶縁膜に第2エッチングを施し、前記第1シリコン片の前記第1上面を露出する工程、 (h)前記メモリアレイ領域を覆い、前記ロジック回路領域を露出した第2ホトレジスト膜を設けた状態で、前記ロジック回路領域の前記第1絶縁膜に第3エッチングを施し、前記第2シリコン片の前記第2上面および前記第2半導体領域の前記第2主面を露出する工程、 (i)前記第1半導体領域の前記第1主面は、前記第1絶縁膜で覆われた状態で、前記第1絶縁膜から露出した、前記第1シリコン片の前記第1上面、前記第2シリコン片の前記第2上面および前記第2半導体領域の前記第2主面にシリサイド膜を形成する工程、 を有する半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/10 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108

FI (3件)：

H01L27/10 461 ,  H01L27/10 481 ,  H01L27/10 621C

Fターム (38件)：

5F083AD10 ,  5F083AD24 ,  5F083AD48 ,  5F083AD49 ,  5F083BS00 ,  5F083GA02 ,  5F083GA06 ,  5F083GA09 ,  5F083GA27 ,  5F083HA01 ,  5F083HA02 ,  5F083JA35 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083JA56 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083LA25 ,  5F083MA03 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA17 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR01 ,  5F083PR40 ,  5F083PR43 ,  5F083PR44 ,  5F083PR53 ,  5F083PR54 ,  5F083PR57 ,  5F083ZA01 ,  5F083ZA13 ,  5F083ZA14 ,  5F083ZA28