特許
J-GLOBAL ID：201503046736630985
有機半導体層およびその改善
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
稲宮 真衣子
, 葛和 清司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-157252
公開番号（公開出願番号）：特開2012-246295
特許番号：特許第5667128号
出願日： 2012年07月13日
公開日（公表日）： 2012年12月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 化合物群8または9、またはそれらの異性体から選択されるポリアセン化合物であって、ここで化合物群8は、式8:
で表され、
式中、R1、R2、R3、R4、R8、R9、R10およびR11は、それぞれ独立して、同一または異なっていてもよく、それぞれ独立して、水素、C1〜C10アルキル、またはハロ基(Cl、Br、F)であり、
ただし、R1、R2、R3、R4、R8、R9、R10およびR11の少なくとも1つは、C1〜C10アルキルまたはハロ基であり、;および
式中、R15、R16、およびR17は、C1〜C4のアルキルから選択され、;および
式中、Aは、ケイ素であり、化合物群9は、式9
式中、R2、R3、R7およびR8は、それぞれ独立して、同一または異なっていてもよく、それぞれ独立して、水素;任意に置換されたC1〜C40のカルビルまたはヒドロカルビル基;任意に置換されたC1〜C40のアルコキシ基;任意に置換されたC6〜C40のアリールオキシ基;任意に置換されたC7〜C40のアルキルアリールオキシ基;任意に置換されたC2〜C40のアルコキシカルボニル基;任意に置換されたC7〜C40のアリールオキシカルボニル基;シアノ基(-CN);カルバモイル基 (-C(=O)NH2);ハロホルミル基(-C(=O)-X、式中、Xは、ハロゲン原子を示す。);ホルミル基(-C(=O)-H);イソシアノ基;イソシアネート基;チオシアネート基またはチオイソシアネート基;任意に置換されたアミノ基;ヒドロキシ基;ニトロ基;CF3基;ハロ基(Cl、Br、F);または任意に置換されたシリル基であり、;および
式中、R2およびR3、R7およびR8は、C4〜C40の飽和または不飽和の環を形成するように互いに架橋されていてもよく、飽和または不飽和の環は、酸素原子、硫黄原子、式-N(Ra)-(式中、Raは、水素原子または炭化水素基)で示される基が介在していてもよく、
ただし、R2およびR3、R7およびR8のいずれかまたは両方が、酸素原子、硫黄原子、式-N(Ra)-で示される基が介在した、それらが結合している炭素原子とともに、C4〜C40の飽和または不飽和の環を形成し、;および
式中、R15、R16、およびR17は、C1〜C4のアルキルから選択され、;および
式中、Aは、ケイ素である、
で表される、前記ポリアセン化合物。
IPC (7件)：
H01L 51/30 ( 200 6.01)
, C07F 7/08 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 51/40 ( 200 6.01)
, C07F 7/12 ( 200 6.01)
, H01L 31/10 ( 200 6.01)
, H01L 51/46 ( 200 6.01)
H01L 29/28 250 H
, C07F 7/08 CSP C
, H01L 29/28 220 A
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/28 310 A
, C07F 7/12 D
, C07F 7/08 R
, H01L 31/10 A
, H01L 31/04 154 A
, H01L 31/04 154 B
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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