特許

J-GLOBAL ID：201503048250162508

可変光減衰器

発明者： 荻本 泰史 ,  大登 正敬
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (2件)： 河野 広明 ,  岡本 正之
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012082466
公開番号（公開出願番号）：WO2013-114742
出願日： 2012年12月14日
公開日（公表日）： 2013年08月08日
要約：

大面積化が容易であり、透過率を変化させる時以外は外場印加が不要で室温動作可能な可変光減衰器を提供する。本発明のある態様においては、(210)面方位の基板の上に形成され、La1-xSrxMnO3膜21(LSMO膜、ただし、0.1<x<0.7)および透明絶縁膜22が交互に積層した超格子2と、超格子のLSMO膜の少なくともいくつかの膜面内の磁化を制御する磁化制御手段50とを備える可変光減衰器100が提供される。可変光減衰器100では、超格子2のLSMO膜21の膜面内の磁化を磁化制御手段50により制御することにより超格子2の光透過率が制御される。

請求項（抜粋）：

(210)面方位の基板の上に形成され、La1-xSrxMnO3膜(LSMO膜、ただし、0.1<x<0.7)および透明絶縁膜が交互に積層した超格子と、 該超格子に含まれているLSMO膜のうちの少なくともいくつかにおける膜面内の磁化を制御する磁化制御手段と を備え、 前記超格子のLSMO膜の膜面内の磁化を制御することにより、該超格子の透過光に対する透過率が制御される 可変光減衰器。

IPC (1件)：

G02F 1/09

FI (1件)：

G02F1/09 501

Fターム (9件)：

2K102AA27 ,  2K102BA14 ,  2K102BB01 ,  2K102BC09 ,  2K102BD09 ,  2K102DA01 ,  2K102DA08 ,  2K102DC01 ,  2K102DD04