特許

J-GLOBAL ID：201503049104555464

強磁性材スパッタリングターゲット

発明者： 池田 祐希
出願人/特許権者： JX日鉱日石金属株式会社
代理人 (2件)： 小越 勇 ,  小越 一輝
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013051095
公開番号（公開出願番号）：WO2013-111706
出願日： 2013年01月21日
公開日（公表日）： 2013年08月01日
要約：

Co及びPt、Co及びCr又はCo、Cr及びPtからなる金属マトリックス相と少なくともCr2O3を含む酸化物相とからなり、前記Cr2O3を1〜16mol%含有するスパッタリングターゲットであって、不純物であるアルカリ金属の総量が30wtppm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。スパッタ成膜時又は成膜後にこれらの不純物を起点とするスポットの形成や、磁性薄膜の剥離を抑制することができるので、耐久性の優れた磁気記録媒体の磁性薄膜を製造できる。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

Co及びPt、Co及びCr又はCo、Cr及びPtからなる金属マトリックス相と少なくともCr2O3を含む酸化物相とからなり、前記Cr2O3を1〜16mol%含有するスパッタリングターゲットであって、不純物であるアルカリ金属の総量が30wtppm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。

IPC (2件)：

C23C 14/34 ,  G11B 5/851

FI (2件)：

C23C14/34 A ,  G11B5/851

Fターム (13件)：

4K029BA24 ,  4K029BC06 ,  4K029BD11 ,  4K029CA05 ,  4K029DC04 ,  4K029DC09 ,  5D112AA05 ,  5D112AA24 ,  5D112BB01 ,  5D112FA04 ,  5D112FB04 ,  5D112FB06 ,  5D112FB14