特許

J-GLOBAL ID：201503050603316819

フィルムコンデンサ

発明者： 中尾 吉宏
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-135184
公開番号（公開出願番号）：特開2015-012076
出願日： 2013年06月27日
公開日（公表日）： 2015年01月19日
要約：

【課題】 誘電体フィルムを比誘電率および破壊電界強度のうちの少なくとも一方が異なる2層構造とした場合でも、静電エネルギー密度を高めることのできるフィルムコンデンサを提供する。【解決手段】 比誘電率および破壊電界強度のうちの少なくとも一方の異なる第1の誘電体層1と第2の誘電体層2との2層構造を有しているとともに、第1の誘電体層1の比誘電率をε1、破壊電界強度をE1とし、第2の誘電体層2の比誘電率をε2、破壊電界強度をE2としたときに、D={(ε1×E1)-(ε2×E2)}/{(ε1×E1)+(ε2×E2)}/2で表わされるDが0.1以下の誘電体フィルム10を具備してなる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

比誘電率および破壊電界強度のうちの少なくとも一方の異なる第1の誘電体層と第2の誘電体層との2層構造を有しているとともに、 前記第1の誘電体層の比誘電率をε1、破壊電界強度をE1とし、 前記第2の誘電体層の比誘電率をε2、破壊電界強度をE2としたときに、 D={(ε1×E1)-(ε2×E2)}/{(ε1×E1)+(ε2×E2)}/2 で表わされるDが0.1以下の誘電体フィルムを具備してなることを特徴とするフィルムコンデンサ。

IPC (1件)：

H01G 4/18

FI (3件)：

H01G4/24 321D ,  H01G4/24 301D ,  H01G4/24 321C

Fターム (14件)：

5E082AB03 ,  5E082AB04 ,  5E082BC35 ,  5E082EE05 ,  5E082EE24 ,  5E082EE37 ,  5E082FF05 ,  5E082FF14 ,  5E082FG06 ,  5E082FG32 ,  5E082FG46 ,  5E082GG10 ,  5E082GG27 ,  5E082PP01