窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びそれを用いた光源装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人前田特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012004657
公開番号（公開出願番号）：WO2013-042297
出願日： 2012年07月23日
公開日（公表日）： 2013年03月28日
要約：

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、一般式がAlxInyGazN(0≦x<1、0<y<1、0<z<1、x+y+z=1)である窒化物半導体からなり、成長面に非極性面又は半極性面を有する発光層(105)を有している。窒化物半導体の成長面は、異方性を示す二軸を有し、窒化物半導体におけるIn組成は、二軸のうちの第1の軸方向に変化する分布を有し、且つIn組成が低い領域と高い領域との境界面(51)が第1の軸に垂直な面から成長面方向に傾斜している。

請求項（抜粋）：

一般式がAlxInyGazN(0≦x<1、0<y<1、0<z<1、x+y+z=1)である窒化物半導体からなり、成長面に非極性面又は半極性面を有する発光層を備え、前記窒化物半導体の成長面は、異方性を示す二軸を有し、前記窒化物半導体におけるIn組成は、前記二軸のうちの第1の軸方向に変化する分布を有し、且つIn組成が低い領域と高い領域との境界面が前記第1の軸に垂直な面から前記成長面方向に傾斜している、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

IPC (7件)：

H01L 33/16 , H01L 33/32 , H01L 33/50 , H01S 5/343 , H01L 21/205 , C23C 16/34 , C30B 29/38

FI (7件)：

H01L33/00 160 , H01L33/00 186 , H01L33/00 410 , H01S5/343 610 , H01L21/205 , C23C16/34 , C30B29/38

Fターム (79件)：

4G077AA03 , 4G077AB02 , 4G077BE11 , 4G077DB08 , 4G077ED05 , 4G077HA02 , 4G077TA04 , 4G077TC14 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA11 , 4K030BA38 , 4K030BB01 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030JA01 , 4K030JA06 , 4K030LA14 , 4K030LA18 , 5F045AA04 , 5F045AA06 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AC18 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AE25 , 5F045AF02 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045BB14 , 5F045CA09 , 5F045CA10 , 5F045CA11 , 5F045CA12 , 5F045DA52 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045EB13 , 5F141AA03 , 5F141CA05 , 5F141CA23 , 5F141CA40 , 5F141CA49 , 5F141CA57 , 5F141CA65 , 5F141CA66 , 5F141CA85 , 5F141CA87 , 5F142AA02 , 5F142CB03 , 5F142CE03 , 5F142CE13 , 5F142CG03 , 5F142DA02 , 5F142DA12 , 5F173AH22 , 5F173AH44 , 5F173AJ04 , 5F173AJ13 , 5F173AP05 , 5F173AP09 , 5F173AR23

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