特許

J-GLOBAL ID：201503053401543200

リポソームの剥離方法

発明者： 大崎 寿久 ,  竹内 昌治 ,  川野 竜司 ,  神谷 厚輝
出願人/特許権者： 公益財団法人神奈川科学技術アカデミー
代理人 (1件)： 特許業務法人谷川国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-240444
公開番号（公開出願番号）：特開2015-100715
出願日： 2013年11月20日
公開日（公表日）： 2015年06月04日
要約：

【課題】基板上に形成されたリポソームを基板から簡便に離脱させることができる、リポソームの剥離方法を提供すること。【解決手段】リポソームの剥離方法は、表面の少なくとも一部が導電性材料で形成された基板の導電性領域上に形成されたリポソームの剥離方法であり、導電性領域に-5V〜-15Vのパルス状の電圧を0.5秒〜5秒間印加してリポソームを導電性領域から離脱させる。【効果】表面の少なくとも一部が導電性材料で形成された基板上に形成されたリポソームを、外力を加えることなく完全な形で容易に剥離することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

表面の少なくとも一部が導電性材料で形成された基板の導電性領域上に形成されたリポソームの剥離方法であって、前記導電性領域に-5V〜-15Vのパルス状の電圧を0.5秒〜5秒間印加してリポソームを前記導電性領域から離脱させる、リポソームの剥離方法。

IPC (1件)：

B01J 13/20

FI (1件)：

B01J13/02 K

Fターム (8件)：

4G005AA07 ,  4G005BB19 ,  4G005BB24 ,  4G005CA02 ,  4G005DB12X ,  4G005DC56Y ,  4G005DC56Z ,  4G005EA03