特許

J-GLOBAL ID：201503053735580158

グラフェンおよびその製造方法

発明者： 永瀬 雅夫
出願人/特許権者： 国立大学法人徳島大学
代理人 (2件)： 山川 政樹 ,  山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-038609
公開番号（公開出願番号）：特開2015-110485
出願日： 2012年02月24日
公開日（公表日）： 2015年06月18日
要約：

【課題】SiCを用いた熱分解法において、高い結晶品質のグラフェンを得る。【解決手段】まず、第1工程S101で、不活性な雰囲気にSiC基板を配置する。次に、第2工程S102で、不活性な雰囲気でSiC基板を加熱してSiC基板の表面のシリコンを蒸発させてSiC基板の表面にグラフェンを形成する。第2工程S102において、形成されるグラフェンの表面の二乗平均面粗さが0.5nm以下となる製造条件で行う。表面の二乗表面粗さが0.5nm以下であるグラフェンは、1層の状態であり、結晶欠陥などの発生が抑制されて高品質な結晶状態が得られている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

SiCの表面に形成されたグラフェンであって、 前記グラフェンの表面の二乗表面粗さが0.5nm以下である ことを特徴とするグラフェン。

IPC (1件)：

C01B 31/02

FI (1件)：

C01B31/02 101Z

Fターム (7件)：

4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146AC16B ,  4G146BA08 ,  4G146BC03 ,  4G146BC23 ,  4G146BC34B