半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：奥田誠司 , 喜多修市 , 山下亮司 , 三宅章子 , 岡部英隆 , 田中悠
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013051422
公開番号（公開出願番号）：WO2013-115052
出願日： 2013年01月24日
公開日（公表日）： 2013年08月08日
要約：

半導体装置(100A)は、基板(2)と、基板(2)の上に形成されたゲート電極(3)と、ゲート電極(3)の上に形成されたゲート絶縁層(4)と、ゲート絶縁層(4)の上に形成された酸化物半導体層(5)と、酸化物半導体層(5)に電気的に接続されたソース電極(6s)およびドレイン電極(6d)と、ドレイン電極(6d)と電気的に接続された第1透明電極(7)と、ソース電極(6s)およびドレイン電極(6d)の上に形成された誘電体層8aを含む層間絶縁層(8)と、層間絶縁層(8)の上に形成された第2透明電極(9)とを有し、第2透明電極(9)の少なくとも一部は、誘電体層(8a)を介して第1透明電極(7)と重なっており、酸化物半導体層(5)および第1透明電極(7)は、同一の酸化物膜から形成されている。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板の上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の上に形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層の上に形成された酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層に電気的に接続されたソース電極およびドレイン電極と、前記ドレイン電極と電気的に接続された第1透明電極と、前記ソース電極および前記ドレイン電極の上に形成された誘電体層を含む層間絶縁層と、前記層間絶縁層の上に形成された第2透明電極とを有し、前記第2透明電極の少なくとも一部は、前記誘電体層を介して前記第1透明電極と重なっており、前記酸化物半導体層および前記第1透明電極は、同一の酸化物膜から形成されている、半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/28 , G02F 1/136

FI (7件)：

H01L29/78 616K , H01L29/78 618B , H01L21/28 301B , H01L21/28 301R , H01L29/78 616U , H01L29/78 612Z , G02F1/1368

Fターム (78件)：

2H192AA24 , 2H192BB12 , 2H192BB73 , 2H192CB05 , 2H192CB37 , 2H192CB83 , 2H192CC04 , 2H192CC32 , 2H192CC72 , 2H192DA32 , 2H192EA74 , 2H192FB02 , 2H192HA84 , 2H192JA32 , 4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB32 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD88 , 4M104EE05 , 4M104EE06 , 4M104EE15 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104GG08 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG17 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110GG58 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK22 , 5F110HK33 , 5F110HL07 , 5F110HL23 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN35 , 5F110NN73 , 5F110QQ30

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