特許

J-GLOBAL ID：201503054640473377

パワー半導体装置及びパワー半導体装置を製造するための方法

発明者： インゴ ボーゲン ,  マルクス ベック ,  ハルトムート クーラス ,  アレクサンダー ポペスク ,  ラインハルト ヘルデルファー
出願人/特許権者： ゼミクロン エレクトローニク ゲーエムベーハー ウント コンパニー カーゲー
代理人 (2件)： 藤田 アキラ ,  今井 秀樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-176971
公開番号（公開出願番号）：特開2015-050465
出願日： 2014年09月01日
公開日（公表日）： 2015年03月16日
要約：

【課題】パワー半導体構成要素から液体により貫流されるパワー半導体装置の冷却体への良好な熱伝導を有し、冷却体が長期間に渡り確実に密閉されるパワー半導体装置を達成する。【解決手段】冷却体は第一及び第二の冷却ハウジング部材4,7を有し、第一の冷却ハウジング部材はそれを貫通する除去部を有し、冷却プレート5は除去部に配設され、第一及び第二の冷却ハウジング部材が、パワー半導体構成要素9から背けられた冷却体の面に空所が形成されるような形状を有し又互いにそのように配設され、冷却プレートが冷却プレートを取り囲む第一の溶接シーム17を用いて第一の冷却ハウジング部材と接続され、第一の溶接シームが冷却プレートを第一の冷却ハウジング部材に対して密閉し、第二の冷却ハウジング部材は第一の冷却ハウジング部材と接続する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

パワー半導体モジュール(3)及び液体により貫流可能な冷却体(2)を有するパワー半導体装置において、 前記パワー半導体モジュール(3)が、電気導電性の導電路(13)上に配設されているパワー半導体構成要素(9)を有して、 前記パワー半導体モジュール(3)が非導電性の絶縁層(6)及び冷却プレート(5)を有しており、 前記絶縁層(6)が前記導電路(13)及び前記冷却プレート(5)の間に配設されており、 前記冷却体(2)が、第一の冷却ハウジング部材(4、4 ́)、及び、第二の冷却ハウジング部材(7、7 ́)を有しており、前記第一の冷却ハウジング部材(4、4 ́)は前記第一の冷却ハウジング部材(4、4 ́)を貫通する除去部(25)を有しており、 前記冷却プレート(5)が前記除去部(25)に配設されており、 前記第一及び第二の冷却ハウジング部材(4、4 ́、7、7 ́)が、前記パワー半導体構成要素(9)から背けられた前記冷却体(5)の面(D)に空所(18)が形成されるような形状を有し、また互いにそのように配設されており、 前記冷却プレート(5)が、前記冷却プレート(5)の周りを取り囲む第一の溶接シーム(17)を用いて、前記第一の冷却ハウジング部材(4、4 ́)と接続されており、 前記第一の溶接シーム(17)が前記冷却プレート(5)を前記第一の冷却ハウジング部材(4、4 ́)に対して密閉し、 前記第二の冷却ハウジング部材(7、7 ́)が前記第一の冷却ハウジング部材(4、4 ́)と接続されていること、 を特徴とするパワー半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/473 ,  H05K 7/20

FI (2件)：

H01L23/46 Z ,  H05K7/20 N

Fターム (9件)：

5E322AA01 ,  5E322AA06 ,  5E322AB02 ,  5E322AB11 ,  5E322FA01 ,  5F136CB07 ,  5F136CB08 ,  5F136FA02 ,  5F136GA04