特許
J-GLOBAL ID：201503054923201160
二次電池集電体用銅合金圧延箔およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
飯田 敏三
, 宮前 尚祐
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-145042
公開番号（公開出願番号）：特開2015-017302
出願日： 2013年07月10日
公開日（公表日）： 2015年01月29日
要約：
【課題】強度(耐力)が高いために塑性変形や破断し難く、更に300°C加熱後(加熱時間1時間)の耐熱性にも優れ、かつ導電性も高くて、電池等の製造工程の歩留および電気的特性を向上させることができる二次電池集電体用銅合金圧延箔およびその製造方法を提供する。【解決手段】圧延により形成したCu-Zr系合金から得られる銅合金圧延箔であって、前記銅合金圧延箔の結晶方位についてBrass方位{110}<112>、Copper方位{121}<111>、S方位{231}<346>、Goss方位{110}<001>に配向している結晶方位密度をそれぞれB、C、S、Gとしたとき、[B/C/(G+S)]が、0.16〜0.6である二次電池集電体用銅合金圧延箔、およびその製造方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
Zrを0.001〜0.4mass%、並びに、Cr、Sn、Zn、Si、Mn、Mg及びPからなる群から選ばれる少なくとも1種を合計で0〜0.8ass%含有し、残部が銅および不可避不純物からなるCu-Zr系の銅合金を圧延により形成して得られる銅合金圧延箔であって、
前記銅合金圧延箔の結晶方位について、Brass方位{110}<112>、Copper方位{121}<111>、S方位{231}<346>、Goss方位{110}<001>に配向している結晶方位密度を、それぞれ、B、C、S、Gとしたとき、[B/C/(G+S)]が、0.16〜0.6である二次電池集電体用銅合金圧延箔。
IPC (7件)：
C22C 9/00
, C22C 9/02
, C22C 9/04
, C22C 9/10
, C22C 9/05
, C22F 1/08
, H01M 4/66
C22C9/00
, C22C9/02
, C22C9/04
, C22C9/10
, C22C9/05
, C22F1/08 B
, C22F1/08 J
, H01M4/66 A
5H017AA03
, 5H017BB01
, 5H017BB02
, 5H017BB06
, 5H017EE01
, 5H017HH01
, 5H017HH07
, 5H017HH08
, 5H017HH09
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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