特許

J-GLOBAL ID：201503056364271881

記憶装置

発明者： 齋藤 真澄 ,  石川 貴之 ,  藤井 章輔 ,  宮川 英典 ,  田中 千加 ,  水島 一郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-192386
公開番号（公開出願番号）：特開2015-060891
出願日： 2013年09月17日
公開日（公表日）： 2015年03月30日
要約：

【課題】データの保持特性及びリセット容易性が両立した記憶装置を提供する。【解決手段】実施形態に係る記憶装置は、第1電極と、前記第1電極の材料よりもイオン化しやすい金属を含む第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に配置された抵抗変化層と、を備える。前記抵抗変化層は、結晶化率が相対的に高い第1層と、前記第1層に接し、結晶化率が相対的に低い第2層と、を有する。前記第1層及び前記第2層は、前記第1電極と前記第2電極とを結ぶ方向に沿って積層されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1電極と、 前記第1電極の材料よりもイオン化しやすい金属を含む第2電極と、 前記第1電極と前記第2電極との間に配置された抵抗変化層と、 を備え、 前記抵抗変化層は、 結晶化率が相対的に高い第1層と、 前記第1層に接し、結晶化率が相対的に低い第2層と、 を有し、 前記第1層及び前記第2層は、前記第1電極と前記第2電極とを結ぶ方向に沿って積層されている記憶装置。

IPC (3件)：

H01L 27/105 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (3件)：

H01L27/10 448 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

Fターム (9件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60