特許

J-GLOBAL ID：201503058200900627

電磁波シールド用金属箔、電磁波シールド材及びシールドケーブル

発明者： 田中 幸一郎
出願人/特許権者： JX日鉱日石金属株式会社
代理人 (3件)： 赤尾 謙一郎 ,  下田 昭 ,  栗原 和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-139914
公開番号（公開出願番号）：特開2015-015299
出願日： 2013年07月03日
公開日（公表日）： 2015年01月22日
要約：

【課題】耐食性が良好で、低コストである電磁波シールド用金属箔、電磁波シールド材及びシールドケーブルを提供する。【解決手段】金属箔1からなる基材の片面又は両面に、Sn-Ni合金層2が形成され、該Sn-Ni合金層の表面に酸化物3が形成され、Sn-Ni合金層は、Snを20〜80質量%含み、厚さが30〜500nmであり、最表面からの深さをXnmとしてXPSにより深さ方向分析を行い、Snの原子濃度(%)をASn(X)、Niの原子濃度(%)をANi(X)、酸素の原子濃度(%)をA0(X)とし、A0(X)=0になるときのXをX0としたとき、30nm≧X0≧0.5nmであり、かつ区間[0、X0]において、0.4≧∫ANi(X)dx/∫ASn(X)dx≧0.05を満たす。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

金属箔からなる基材の片面又は両面に、Sn-Ni合金層が形成され、該Sn-Ni合金層の表面に酸化物が形成され、 前記Sn-Ni合金層は、Snを20〜80質量%含み、厚さが30〜500nmであり 最表面からの深さをXnmとしてXPSにより深さ方向分析を行い、 Snの原子濃度(%)をASn(X)、Niの原子濃度(%)をANi(X)、酸素の原子濃度(%)をA0(X)とし、A0(X)=0になるときのXをX0としたとき、 30nm≧X0≧0.5nmであり、かつ区間[0、X0]において、0.4≧∫ANi(X)dx/∫ASn(X)dx≧0.05を満たす電磁波シールド用金属箔。

IPC (2件)：

H05K 9/00 ,  C23C 28/00

FI (3件)：

H05K9/00 W ,  H05K9/00 L ,  C23C28/00 B

Fターム (21件)：

4K044AA02 ,  4K044AA03 ,  4K044AA06 ,  4K044AB02 ,  4K044BA06 ,  4K044BA10 ,  4K044BA12 ,  4K044BB03 ,  4K044BB04 ,  4K044BC14 ,  4K044CA12 ,  4K044CA13 ,  4K044CA15 ,  4K044CA42 ,  4K044CA44 ,  5E321AA21 ,  5E321BB23 ,  5E321BB44 ,  5E321BB53 ,  5E321CC06 ,  5E321GG09

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 樹脂被覆錫合金めっき鋼板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-098806   出願人：JFEスチール株式会社
• 積層銅箔及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-083862   出願人：日鉱金属株式会社