特許

J-GLOBAL ID：201503059033211500

半導体装置

発明者： 加藤 清 ,  古谷 一馬
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-174059
公開番号（公開出願番号）：特開2014-026657
特許番号：特許第5659276号
出願日： 2013年08月26日
公開日（公表日）： 2014年02月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】リミッタ回路と、第1の容量素子と、第2の容量素子と、第1のダイオードと、第2のダイオードと、を有し、 前記リミッタ回路は、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のダイオードと、抵抗素子と、を有し、 前記第1の容量素子の第1の電極は、前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、 前記第1の容量素子の第2の電極は、前記第1のダイオードの陰極と電気的に接続され、 前記第1の容量素子の第2の電極は、前記第2のダイオードの陽極と電気的に接続され、 前記第2のダイオードの陰極は、前記第2の容量素子の第1の電極と電気的に接続され、 前記第2のダイオードの陰極は、前記抵抗素子の第1の端子と電気的に接続され、 前記第2のダイオードの陰極は、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、 前記抵抗素子の第2の端子は、前記第3のダイオードの陽極と電気的に接続され、 前記抵抗素子の第2の端子は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、 前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、 前記第1の容量素子の第1の電極には、第1の信号が入力され、 前記第2のダイオードの陰極からは、前記第1の信号に依存した値を有する第1の電圧が出力されることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

G06K 19/07 ( 200 6.01) ,  H01L 29/423 ( 200 6.01) ,  H01L 29/49 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H02J 7/00 ( 200 6.01)

FI (6件)：

G06K 19/00 J ,  G06K 19/00 H ,  H01L 29/58 G ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 29/78 613 A ,  H02J 7/00 B