特許

J-GLOBAL ID：201503060148145771

ダイボンド層付き半導体素子搭載用支持部材、ダイボンド層付き半導体素子及びダイボンド層付き接合板

発明者： 中子 偉夫 ,  田中 俊明 ,  名取 美智子 ,  石川 大 ,  松本 博
出願人/特許権者： 日立化成株式会社
代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  清水 義憲 ,  古下 智也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-215502
公開番号（公開出願番号）：特開2015-109434
出願日： 2014年10月22日
公開日（公表日）： 2015年06月11日
要約：

【課題】 熱伝導性及び接続信頼性に優れ、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材との接合を簡便な工程で行うことができるダイボンド層を有するダイボンド層付き半導体素子搭載用支持部材を提供すること。【解決手段】 上記課題を解決する本発明のダイボンド層付き半導体素子搭載用支持部材は、半導体素子搭載用支持部材と、該半導体素子搭載用支持部材の半導体素子が接合される面に設けられた、空孔率が15〜50体積%であり、銀及び/又は銅を含み、炭素分が1.5質量%以下である、多孔質のダイボンド層と、を備えることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体素子搭載用支持部材と、該半導体素子搭載用支持部材の半導体素子が接合される面に設けられた、空孔率が15〜50体積%であり、銀及び/又は銅を含み、炭素分が1.5質量%以下である、多孔質のダイボンド層と、を備えることを特徴とするダイボンド層付き半導体素子搭載用支持部材。

IPC (1件)：

H01L 21/52

FI (1件)：

H01L21/52 B

Fターム (8件)：

5F047BA00 ,  5F047BA12 ,  5F047BA14 ,  5F047BA15 ,  5F047BA45 ,  5F047BA51 ,  5F047BB11 ,  5F047BB16