特許
J-GLOBAL ID：201503061733290554
半導体装置の取り付け構造
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
砂井 正之
, 藤原 康高
, 山下 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-196528
公開番号（公開出願番号）：特開2015-065196
出願日： 2013年09月24日
公開日（公表日）： 2015年04月09日
要約：
【課題】安定した放熱経路を確保しつつ、良好な接着状態で半導体チップをベース基盤に取り付けることのできる半導体装置の取り付け構造を得る。【解決手段】取り付け面に対して同じ傾きの傾斜平面を持った、断面がくさび形状の金属ブロックである基盤側ブロック3と半導体チップ側ブロック4とを、それぞれベース基盤2側と半導体チップ1側とに接着しておき、半導体チップ1の取り付け時には、これら2つのブロックの傾斜平面を接触させつつ、その接触面に沿って半導体チップ1側を滑らせるように移動して、双方の接続端子が良好に接触するように配置して取り付ける。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
平面状の取り付け面を有し、この取り付け面に放熱面が形成された半導体装置と、
絶縁体層と金属層とが積層されるとともに、この絶縁体層の表面に取り付ける前記半導体装置の取り付け位置の直下に、この絶縁体層を貫通して前記金属層が露出し、前記半導体装置の放熱面に対応した大きさの開口を有する取り付け孔が形成されたベース基盤と、
前記ベース基盤の取り付け孔内に配置されてその内部に露出した前記金属層に接着されるとともに、この取り付け孔の開口側の表面が、前記半導体装置の取り付け面となる絶縁体層の表面に対して傾斜して形成された、くさび形状の断面を有する第1の金属ブロックと、
前記半導体装置の放熱面に接着され、前記ベース基盤でのこの半導体装置の取り付け位置において、前記取り付け孔側の表面が、この半導体装置の取り付け面となる絶縁体層の表面に対して、前記第1の金属ブロックと同じ傾斜を持って形成された、くさび形状の断面を有する第2の金属ブロックとを備え、
前記半導体装置を前記ベース基盤に取り付ける際は、前記第1の金属ブロック及び前記第2の金属ブロックのそれぞれの前記傾斜して形成された面を接触させるとともにこの傾斜した接触面に沿って滑らせつつ、前記半導体装置の取り付け面を前記ベース基盤の取り付け位置に接触させて取り付けることを特徴とする半導体装置の取り付け構造。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L23/12 F
, H01L23/36 C
5F136BB03
, 5F136BB05
, 5F136EA13
, 5F136FA03
