特許

J-GLOBAL ID：201503061884455016

半導体装置

発明者： 加藤 一洋 ,  鶴見 博幸 ,  佐藤 幸男 ,  壱岐村 岳人 ,  熊本 明 ,  山本 浩之 ,  今掛 昭一 ,  浅川 亨
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： きさらぎ国際特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-059591
公開番号（公開出願番号）：特開2013-197128
特許番号：特許第5696074号
出願日： 2012年03月16日
公開日（公表日）： 2013年09月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 第1電源電圧が印加される第1電源端子に一端が接続された第1抵抗と、 前記第1抵抗の他端と第2電源電圧が印加される第2電源端子との間に接続されたキャパシタと、 前記第1電源端子にソースが接続され前記第1抵抗と前記キャパシタとの接続点にゲートが接続された第1トランジスタと、 前記第1トランジスタのドレインと前記第2電源端子との間に接続された第2抵抗と、 前記第1トランジスタのゲートとソースの間に前記第1抵抗に生じる電圧の極性に対して逆方向に接続された第1ダイオードと、 前記第1電源端子にドレインが接続され前記第2電源端子にソースが接続されて前記第1トランジスタの出力によりゲートが駆動される第2トランジスタと、 前記第2トランジスタのゲートとソースの間に前記第2抵抗に生じる電圧の極性に対して逆方向に接続された第2ダイオードと、 前記第2電源端子にソースが接続され前記第1トランジスタのドレインと前記第2抵抗との接続点にゲートが接続された第3トランジスタと、 前記第3トランジスタのドレインと前記第1電源端子との間に接続された第3抵抗と、 前記第3トランジスタのゲートとソースの間に前記第2抵抗に生じる電圧の極性に対して逆方向に接続された第3ダイオードと、 前記第1電源端子にソースが接続され前記第3トランジスタのドレインと前記第3抵抗との接続点にゲートが接続された第4トランジスタと、 前記第4トランジスタのドレインと前記第2電源端子との間に接続された第4抵抗と、 前記第4トランジスタのゲートとソースの間に前記第3抵抗に生じる電圧の極性に対して逆方向に接続された第4ダイオードと を備え、 前記第2トランジスタのゲートは、前記第4トランジスタのドレインと前記第4抵抗との接続点に接続されている ことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01) ,  H01L 27/06 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8238 ( 200 6.01) ,  H01L 27/092 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 27/04 H ,  H01L 27/06 311 C ,  H01L 27/06 311 B ,  H01L 27/06 311 A ,  H01L 27/08 321 H

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特許第6249410号
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-184327   出願人：川崎製鉄株式会社
• 静電気放電保護回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-060613   出願人：川崎マイクロエレクトロニクス株式会社