有機半導体層形成用溶液、有機半導体層および有機薄膜トランジスタ

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-158163
公開番号（公開出願番号）：特開2015-029020
出願日： 2013年07月30日
公開日（公表日）： 2015年02月12日
要約：

【課題】優れた塗工性を有する有機半導体層形成用溶液、および高い半導体・電気特性を有する有機薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】 (A)下記一般式(1)【化1】(ここで、置換基R1およびR2は、同一でも異なっていてもよく、炭素数3〜9のアルキル基を示し、T1〜T4は、各々同一でも異なっていてもよく、酸素原子または硫黄原子を示す。)で示されるヘテロアセン誘導体、(B)界面活性剤、および常圧での沸点が140°C以上の有機溶媒を含む有機半導体層形成用溶液は優れた塗工性を有しており、得られる有機半導体層は高い半導体・電気特性を発現することが可能。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(A)下記一般式(1)

IPC (5件)：

H01L 51/30 , H01L 29/786 , H01L 51/05 , H01L 51/40 , C07D 495/22

FI (6件)：

H01L29/28 250H , H01L29/78 618B , H01L29/28 100A , H01L29/28 220A , H01L29/28 310J , C07D495/22

Fターム (44件)：

4C071AA01 , 4C071AA08 , 4C071BB03 , 4C071BB05 , 4C071CC24 , 4C071DD04 , 4C071EE13 , 4C071FF23 , 4C071GG01 , 4C071LL10 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110BB03 , 5F110BB09 , 5F110BB20 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF23 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK09

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