特許

J-GLOBAL ID：201503065229477827

単結晶育成装置

発明者： 高橋 友希
出願人/特許権者： 株式会社フジクラ
代理人 (1件)： とこしえ特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-222300
公開番号（公開出願番号）：特開2015-083524
出願日： 2013年10月25日
公開日（公表日）： 2015年04月30日
要約：

【課題】坩堝の上部空間の温度勾配を緩やかに設定できるとともに温度応答性も良好な単結晶育成装置を提供する。【解決手段】原料が投入される導電性を有する坩堝11と、前記坩堝を誘導加熱する誘導加熱手段14と、前記坩堝の上部に設けられた非磁性の筒状構造体12と、を備える単結晶育成装置において、前記筒状構造体12の側壁部に導電体19が設けられている。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

原料が投入される導電性を有する坩堝と、 前記坩堝を誘導加熱する誘導加熱手段と、 前記坩堝の上部に設けられた非磁性の筒状構造体と、を備える単結晶育成装置において、 前記筒状構造体の側壁部に導電体が設けられている単結晶育成装置。

IPC (2件)：

C30B 15/00 ,  C30B 35/00

FI (2件)：

C30B15/00 Z ,  C30B35/00

Fターム (8件)：

4G077AA02 ,  4G077BC32 ,  4G077CF10 ,  4G077EG19 ,  4G077EG20 ,  4G077PE04 ,  4G077PE22 ,  4G077PE24