特許

J-GLOBAL ID：201503065445320355

強磁性トンネル接合体の製造方法

発明者： 三谷 誠司 ,  介川 裕章 ,  トレジョン ディアズ ジャコブ
出願人/特許権者： 独立行政法人物質・材料研究機構
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-228904
公開番号（公開出願番号）：特開2015-090870
出願日： 2013年11月05日
公開日（公表日）： 2015年05月11日
要約：

【課題】 強磁性トンネル接合体に用いられるトンネルバリア層として、MgAl2O4やAl2O3(スピネル系)を結晶性バリアとして得るための製造方法を提供すること。【解決手段】 本発明の強磁性トンネル接合体の製造方法は、強磁性トンネル接合体に用いられるトンネルバリア層として、プラズマ酸化を行う前の金属アルミニウムやMgAl2合金の成長のときに、成長装置のベース真空度をある特定の範囲とすることで、前記トンネルバリア層に得られるアルミ酸化物の層が結晶化されている状態であることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

強磁性トンネル接合体に用いられるトンネルバリア層として、プラズマ酸化を行う前の金属または合金、具体的にはスピネル系バリアを構成するカチオン元素からなる金属でアルミニウムまたはアルミニウムーマグネシウム合金などの成長のときに、成長装置のベース真空度をある特定の範囲とすることで、前記トンネルバリア層に得られる金属酸化物の層が結晶化されている状態であることを特徴とする強磁性トンネル接合体の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 43/12 ,  H01L 43/10 ,  H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/316

FI (5件)：

H01L43/12 ,  H01L43/10 ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  H01L21/316 A

Fターム (29件)：

4M119AA19 ,  4M119BB01 ,  4M119JJ02 ,  4M119JJ03 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF14 ,  5F058BF73 ,  5F058BH02 ,  5F058BJ04 ,  5F092AA11 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092BB04 ,  5F092BB05 ,  5F092BB10 ,  5F092BB12 ,  5F092BB22 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB42 ,  5F092BC14 ,  5F092BC18 ,  5F092BE03 ,  5F092BE13 ,  5F092BE21 ,  5F092CA02 ,  5F092CA15