特許

J-GLOBAL ID：201503065728242881

皮膜付き基材の製造方法、その製造方法によって得られる皮膜付き基材および皮膜付き半導体製造装置部材

発明者： 山本 亮一 ,  石田 一成 ,  河合 貴士 ,  石川 哲也 ,  石川 幸一
出願人/特許権者： 群馬県 ,  リバストン工業株式会社
代理人 (1件)： 高橋 政治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-236207
公開番号（公開出願番号）：特開2015-094027
出願日： 2013年11月14日
公開日（公表日）： 2015年05月18日
要約：

【課題】耐プラズマ性の高い溶射皮膜を基材の表面に有する皮膜付き基材の製造方法、その製造方法によって得られる皮膜付き基材および皮膜付き半導体製造装置部材の提供。【解決手段】平均粒子径が1〜8μmであり、粒径が0.5〜10μmの範囲内である粒子の存在比率(体積基準)が85%以上であるセラミックス粒子を主成分とする原料粉体を、有機溶媒に分散させてスラリーを得るスラリー調整工程と、溶射ガンから噴出する溶射噴流へ前記スラリーを供給して溶射し、基材の表面に皮膜を形成する皮膜形成工程と、を備える、皮膜付き基材の製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

平均粒子径が1〜8μmであり、粒径が0.5〜10μmの範囲内である粒子の存在比率(体積基準)が85%以上であるセラミックス粒子を主成分とする原料粉体を、有機溶媒に分散させてスラリーを得るスラリー調整工程と、 溶射ガンから噴出する溶射噴流へ前記スラリーを供給して溶射し、基材の表面に皮膜を形成する皮膜形成工程と、 を備える、皮膜付き基材の製造方法。

IPC (3件)：

C23C 4/12 ,  C23C 4/10 ,  H01L 21/306

FI (3件)：

C23C4/12 ,  C23C4/10 ,  H01L21/302 101G

Fターム (26件)：

4K031AA01 ,  4K031AB02 ,  4K031AB09 ,  4K031CB18 ,  4K031CB42 ,  4K031CB43 ,  4K031CB44 ,  4K031CB45 ,  4K031CB46 ,  4K031DA01 ,  4K031DA03 ,  4K031DA04 ,  4K031EA07 ,  5F004AA16 ,  5F004BA06 ,  5F004BA16 ,  5F004BB21 ,  5F004BB22 ,  5F004BB23 ,  5F004BB28 ,  5F004BB29 ,  5F004BD01 ,  5F004BD03 ,  5F004BD04 ,  5F004BD05 ,  5F004BD06