特許
J-GLOBAL ID：201503065972299038

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
井上 隆

井上 隆 について

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竹脇 利至

竹脇 利至 について

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中山 達峰

中山 達峰 について

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岡本 康宏

岡本 康宏 について

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宮本 広信

宮本 広信 について


出願人/特許権者：
ルネサスエレクトロニクス株式会社

ルネサスエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (4件)： 筒井 大和 ,  菅田 篤志 ,  筒井 章子 ,  坂次 哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-245845
公開番号（公開出願番号）：特開2015-103780
出願日： 2013年11月28日
公開日（公表日）： 2015年06月04日
要約：
【課題】半導体装置の特性を向上させる。【解決手段】基板Sの上方に形成されたチャネル層CH、障壁層BAと、開口領域OA2の障壁層BAを貫通し、チャネル層CHの途中まで到達する溝Tと、この溝T内にゲート絶縁膜GIを介して配置されたゲート電極GEと、開口領域OA2の外側の障壁層BA上に形成された絶縁膜IF1とを有するように半導体装置を構成する。そして、絶縁膜IF1は、Siリッチな窒化シリコン膜IF1bと、その下部に位置するNリッチな窒化シリコン膜IF1aとの積層構造を有する。このように、絶縁膜IF1の上層をSiリッチな窒化シリコン膜IF1bとすることで、耐圧の向上を図ることができる。また、エッチング耐性の向上を図ることができる。また、絶縁膜IF1の下層をNリッチな窒化シリコン膜IF1aとすることで、コラプスを抑制することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板の上方に形成された第1窒化物半導体層と、 前記第1窒化物半導体層上に形成され、前記第1窒化物半導体層よりバンドギャップが広い第2窒化物半導体層と、 前記第2窒化物半導体層上に形成された第1絶縁膜と、 ゲート電極と、 前記ゲート電極の両側の前記第2窒化物半導体層の上方にそれぞれ形成された第1電極および第2電極と、 を有し、 前記第1絶縁膜は、前記第2窒化物半導体層と接する第1窒化シリコン膜と、前記第1窒化シリコン膜の上方に形成された第2窒化シリコン膜とを有し、 前記第2窒化シリコン膜は、前記第1窒化シリコン膜よりシリコン(Si)の組成比が大きく、 前記ゲート電極は少なくとも前記第2窒化シリコン膜の上方に設けられる、半導体装置。
IPC (10件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/316
FI (10件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/06 301F ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/205 ,  H01L21/318 B ,  H01L21/318 C ,  H01L21/316 X ,  H01L21/318 M
Fターム (101件)：
4M104AA04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB30 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD37 ,  4M104DD68 ,  4M104DD78 ,  4M104DD79 ,  4M104EE03 ,  4M104EE06 ,  4M104EE15 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF10 ,  4M104FF17 ,  4M104FF21 ,  4M104FF27 ,  4M104GG08 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AF03 ,  5F045BB16 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F058BA20 ,  5F058BB01 ,  5F058BC08 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BF02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR12 ,  5F102GS04 ,  5F102GS06 ,  5F102GV06 ,  5F102GV08 ,  5F140AA01 ,  5F140AA25 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BA16 ,  5F140BA17 ,  5F140BB06 ,  5F140BB18 ,  5F140BC15 ,  5F140BC17 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BD15 ,  5F140BD18 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE16 ,  5F140BF01 ,  5F140BF10 ,  5F140BF43 ,  5F140BG30 ,  5F140BH21 ,  5F140BH47 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK29 ,  5F140BK38 ,  5F140CA03 ,  5F140CB01 ,  5F140CC01 ,  5F140CC03 ,  5F140CC09 ,  5F140CC12 ,  5F140CD08 ,  5F140CE02
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (7件)
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