特許

J-GLOBAL ID：201503066700804970

多値型磁気メモリ素子及び磁気メモリ装置

発明者： 福島 章雄 ,  薬師寺 啓 ,  久保田 均 ,  湯浅 新治 ,  今村 裕志
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-227270
公開番号（公開出願番号）：特開2015-088669
出願日： 2013年10月31日
公開日（公表日）： 2015年05月07日
要約：

【課題】磁気抵抗素子を多値化し、結果として大容量の多値型磁気メモリ素子及び磁気メモリ装置を提供する。【解決手段】磁化固定層、中間層及び磁化自由層を備える磁気抵抗素子をメモリ単位とする多値型磁気メモリ素子であって、磁化自由層及び磁化固定層のうちの少なくとも一方が、磁化配列の自由度を持つ積層構造を有し、磁気抵抗素子は、磁界-抵抗曲線の縮退した複数のマイナーループを有し、2つの抵抗状態を有する。例えば、磁気抵抗素子は、所定の電流、磁界及び電圧のうちの少なくとも一つ以上を印加する前の第1の抵抗状態と印加した後の第2の抵抗状態が、低抵抗状態と高抵抗状態の4通りの組み合わせである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

磁化固定層、中間層及び磁化自由層を備える磁気抵抗素子をメモリ単位とする多値型磁気メモリ素子であって、 前記磁化自由層及び前記磁化固定層のうちの少なくとも一方が、磁化配列の自由度を持つ積層構造を有し、 前記磁気抵抗素子は、磁界-抵抗曲線の縮退した複数のマイナーループを有し、2つの抵抗状態を有することを特徴とする多値型磁気メモリ素子。

IPC (5件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/08 ,  G11C 11/15

FI (5件)：

H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z ,  G11C11/15 112 ,  G11C11/15 140

Fターム (35件)：

4M119AA11 ,  4M119AA17 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC01 ,  4M119CC05 ,  4M119CC09 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD17 ,  4M119KK15 ,  5F092AA15 ,  5F092AB06 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB10 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB31 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB55 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC08 ,  5F092BC13 ,  5F092BC19