特許
J-GLOBAL ID：201503066856302320
積層体の製造方法、基板の処理方法および積層体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-521515
特許番号：特許第5661928号
出願日： 2012年05月31日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板、該基板を支持する光透過性の支持体、および、該基板と該支持体との間に設けられ、該支持体を介して照射される光を吸収することによって変質するようになっている分離層を備えた積層体の製造方法であって、
該分離層は、600nm以下の波長の光を吸収し、光の吸収率が80%以上である分離層であり、
炭化水素ガスおよびフッ化炭素ガスの少なくとも何れかを含有する反応ガスを用いたプラズマCVD法により該分離層を形成する分離層形成工程を包含し、
該分離層形成工程では、モードジャンプを起こす電力よりも大きくなるように設定された高周波電力を用いて該プラズマCVD法を実行することを特徴とする積層体の製造方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L 21/02 C
, H01L 21/02 B
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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