特許

J-GLOBAL ID：201503069375822469

基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法

発明者： 栗林 幸永 ,  江端 慎也
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-200118
公開番号（公開出願番号）：特開2015-069987
出願日： 2013年09月26日
公開日（公表日）： 2015年04月13日
要約：

【課題】基板上に残留する原料ガスを効率よくパージし、基板の面内均一性を向上する技術の提供。【解決手段】基板を処理室に搬送する搬送工程と、前記処理室内で前記基板に成膜する成膜工程と、前記基板を処理室から搬出する搬出工程と、を有し、前記成膜工程は前記処理室内に原料ガスを供給する供給工程と前記処理室内に不活性ガスを供給し原料ガスおよび前記不活性ガスを処理室内から排気する給排工程とを有し、前記給排工程において、前記不活性ガスの前記処理室内への供給流量の増減を繰り返す。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

基板を処理する処理室と、 前記処理室に原料ガスを供給する原料ガス供給系と、 前記処理室に不活性ガスを供給する不活性ガス供給系と、 前記処理室内の雰囲気を排気する排気系と、 前記原料ガス供給系、前記不活性ガス供給系および前記排気系を制御する制御部と、を有し、 前記制御部は前記処理室に原料ガスを供給した後、前記処理室内の原料ガスを排気する時には前記処理室内への不活性ガスの供給流量の増減を繰り返すよう制御する基板処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/44 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

H01L21/31 B ,  C23C16/455 ,  C23C16/44 J ,  H05H1/46 M

Fターム (43件)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA06 ,  4K030EA11 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030HA01 ,  4K030KA04 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AA08 ,  5F045AA15 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AD04 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AE23 ,  5F045BB02 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EE14 ,  5F045EE17 ,  5F045EE19 ,  5F045EF03 ,  5F045EF09 ,  5F045EG02 ,  5F045EH12 ,  5F045EH18 ,  5F045EK06