特許

J-GLOBAL ID：201503070061161644

半導体デバイスの製造方法

発明者： 住田 行常 ,  錦織 豊
出願人/特許権者： 古河機械金属株式会社
代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-234926
公開番号（公開出願番号）：特開2015-095585
出願日： 2013年11月13日
公開日（公表日）： 2015年05月18日
要約：

【課題】本発明は、半導体デバイスの品質悪化を抑制しつつ、製造工程の負担を軽減できる技術を提供することを課題とする。【解決手段】上記課題を解決するため、GaN基板の上にGaN系半導体層を成長させ、GaN基板の上に縦長の複数の島状GaN系半導体層がストライプ状に並んだ積層体を形成する準備工程S1と、準備工程S1の後、GaN系半導体層の上面に半導体デバイスを形成するデバイス形成工程S2と、を有する半導体デバイスの製造方法を提供する。【選択図】図17

請求項（抜粋）：

GaN基板の上にGaN系半導体層を成長させ、前記GaN基板の上に縦長の複数の島状のGaN系半導体層がストライプ状に並んだ積層体を形成する準備工程と、 前記準備工程の後、前記島状のGaN系半導体層の上面に半導体デバイスを形成するデバイス形成工程と、 を有する半導体デバイスの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  C23C 16/34

FI (3件)：

H01L21/205 ,  C30B29/38 D ,  C23C16/34

Fターム (39件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077FG14 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB14 ,  4K030CA04 ,  4K030DA04 ,  4K030FA10 ,  5F045AA02 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AF05 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045CA13 ,  5F045DB02 ,  5F045DB04 ,  5F045DB05