特許

J-GLOBAL ID：201503070773831387

半導体装置

発明者： 早稲倉 真樹
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (2件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-227677
公開番号（公開出願番号）：特開2015-089049
出願日： 2013年10月31日
公開日（公表日）： 2015年05月07日
要約：

【課題】センストランジスタとセンスダイオードとに接続された抵抗の劣化を抑制できる、半導体装置を提供すること。【解決手段】トランジスタと、前記トランジスタと逆並列に接続されたダイオードと、前記トランジスタに流れる電流に応じたセンス電流を生成するセンストランジスタと、前記ダイオードに流れる電流に応じたセンスダイオード電流を生成するセンスダイオードと、前記センストランジスタのエミッタと前記センスダイオードのアノードに接続された一端と、前記トランジスタのエミッタと前記ダイオードのアノードに接続された他端とを有する抵抗と、前記センスダイオード電流が流れるときに前記抵抗に発生する電圧を、クランプするクランプ回路とを備え、前記ダイオードに流れる電流に対する前記センスダイオード電流の割合は、前記トランジスタに流れる電流に対する前記センス電流の割合よりも大きい、半導体装置。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

トランジスタと、 前記トランジスタと逆並列に接続されたダイオードと、 前記トランジスタに流れる電流に応じたセンス電流を生成するセンストランジスタと、 前記ダイオードに流れる電流に応じたセンスダイオード電流を生成するセンスダイオードと、 前記センストランジスタのエミッタと前記センスダイオードのアノードに接続された一端と、前記トランジスタのエミッタと前記ダイオードのアノードに接続された他端とを有する抵抗と、 前記センスダイオード電流が流れるときに前記抵抗に発生する電圧を、クランプするクランプ回路とを備え、 前記ダイオードに流れる電流に対する前記センスダイオード電流の割合は、前記トランジスタに流れる電流に対する前記センス電流の割合よりも大きい、半導体装置。

IPC (4件)：

H03K 17/08 ,  H02M 1/08 ,  H02M 1/00 ,  H03K 17/56

FI (4件)：

H03K17/08 Z ,  H02M1/08 A ,  H02M1/00 H ,  H03K17/56 Z

Fターム (32件)：

5H740BA11 ,  5H740BA12 ,  5H740BB01 ,  5H740BB10 ,  5H740BC01 ,  5H740JA01 ,  5H740MM11 ,  5J055AX34 ,  5J055BX16 ,  5J055CX07 ,  5J055DX09 ,  5J055DX10 ,  5J055DX52 ,  5J055DX73 ,  5J055DX82 ,  5J055EX02 ,  5J055EY01 ,  5J055EY12 ,  5J055EY13 ,  5J055EY21 ,  5J055EZ10 ,  5J055EZ25 ,  5J055EZ32 ,  5J055EZ62 ,  5J055EZ63 ,  5J055FX04 ,  5J055FX09 ,  5J055FX13 ,  5J055FX19 ,  5J055FX32 ,  5J055GX01 ,  5J055GX04