特許
J-GLOBAL ID：201503072536477911
正孔注入層を備える半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-168577
公開番号（公開出願番号）：特開2015-046598
出願日： 2014年08月21日
公開日（公表日）： 2015年03月12日
要約：
【課題】正孔注入層を利用して活性層への正孔注入を増加させて発光効率を向上させた半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体発光素子は、第1導電型にドーピングされた第1半導体層と、第1半導体層上に配置されて傾斜した斜面を有する複数のピットが表面に形成された活性層と、活性層の表面上に配置されて複数のピットの傾斜した斜面に沿って一定の厚さに形成された正孔注入層と、正孔注入層上に配置されて第2導電型にドーピングされた第2半導体層と、を備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型にドーピングされて内部に複数の転位を有する第1半導体層と、
前記第1半導体層上に配置されたピット拡張層と、
前記複数の転位から延びる逆ピラミッド状の傾斜した斜面を有する複数のピットを前記ピット拡張層と共に定義して該ピット拡張層上に配置された活性層と、
前記活性層の上部表面及び前記複数のピットの傾斜した斜面に沿って配置された正孔注入層と、
前記正孔注入層上に配置されて前記第1導電型と異なる第2導電型にドーピングされた第2半導体層と、を備えることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L33/00 174
, H01L33/00 186
5F141AA03
, 5F141CA05
, 5F141CA40
, 5F141CA49
, 5F141CA57
, 5F141CA64
, 5F141CA65
, 5F141CA66
, 5F141CB36
, 5F141FF11
