特許

J-GLOBAL ID：201503072631942290

太陽電池及び太陽電池の製造方法

発明者： 木村 徳治
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (3件)： 青木 篤 ,  伊坪 公一 ,  樋口 外治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-228335
公開番号（公開出願番号）：特開2015-088692
出願日： 2013年11月01日
公開日（公表日）： 2015年05月07日
要約：

【課題】シリコン基板を用いて、エネルギー変換効率の高い太陽電池を提供する。【解決手段】太陽電池10は、シリコンの結晶により形成され、光を吸収して発電する第1光吸収層11と、第1光吸収層11と格子整合し、III-V族化合物半導体により形成され、光を吸収して発電する第2光吸収層13と、第1光吸収層11及び第2光吸収層13と格子整合し、第1光吸収層11と第2光吸収層13との間に配置されるバッファ層12と、を備える。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

シリコンの結晶により形成され、光を吸収して発電する第1光吸収層と、 前記第1光吸収層と格子整合し、III-V族化合物半導体により形成され、光を吸収して発電する第2光吸収層と、 前記第1光吸収層及び前記第2光吸収層と格子整合し、前記第1光吸収層と前記第2光吸収層との間に配置されるバッファ層と、 を備える太陽電池。

IPC (1件)：

H01L 31/06

FI (2件)：

H01L31/04 Y ,  H01L31/04 E

Fターム (12件)：

5F151AA02 ,  5F151AA08 ,  5F151CB02 ,  5F151CB09 ,  5F151DA03 ,  5F151DA17 ,  5F151DA19 ,  5F151FA06 ,  5F151FA13 ,  5F151FA15 ,  5F151FA18 ,  5F151GA04