特許
J-GLOBAL ID：201503074567448815
トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
山下 昭彦
, 岸本 達人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-179086
公開番号（公開出願番号）：特開2015-049962
出願日： 2013年08月30日
公開日（公表日）： 2015年03月16日
要約：
【課題】パルスレーザーにより補助電極上の有機層を効率的に除去することで生産性を向上させた有機EL表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板2と、画素電極3と、補助電極4と、スペーサ部5と、有機EL層6と、補助電極上に形成された有機層の開口部である接触部9と、透明電極層7とを有するトップエミッション型有機EL表示装置10の製造方法であって、補助電極上の全面に少なくとも1層の有機層6が形成された有機EL層側基板を準備する有機EL層側基板準備工程と、第1圧力下で有機EL層側基板および蓋部8の間の空間Vを密封する減圧密封工程と、有機EL層側基板および蓋部の外周の空間を第2圧力に調整して有機EL層側基板および蓋部を密着させる密着工程と、蓋部を介してレーザー光Pを照射して補助電極上の有機層を1回の照射で除去して接触部を形成する接触部形成工程とを有している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に形成された複数の画素電極と、前記画素電極の間に形成された補助電極と、前記基板上に形成されたスペーサ部と、前記画素電極上に形成され、複数の有機層から構成されており、少なくとも発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス層と、前記補助電極上に形成された少なくとも1層の前記有機層と、前記補助電極上に形成された前記有機層の開口部である接触部と、前記有機エレクトロルミネッセンス層および前記接触部上に形成された透明電極層とを有し、前記スペーサ部は、前記接触部および前記接触部に隣接する前記画素電極の間に形成されており、また、前記透明電極層は、前記補助電極と前記接触部で電気的に接続されているトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置を製造するトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、
前記基板、前記画素電極、前記補助電極、前記スペーサ部、および前記有機エレクトロルミネッセンス層を有し、前記補助電極上の全面に少なくとも1層の前記有機層が形成された有機エレクトロルミネッセンス層側基板を準備する有機エレクトロルミネッセンス層側基板準備工程と、
第1圧力下で、前記有機エレクトロルミネッセンス層側基板準備工程で得られた前記有機エレクトロルミネッセンス層側基板に蓋部を対向させ、前記スペーサ部の頂部に前記蓋部が前記有機層を介して接触するように配置して、前記有機エレクトロルミネッセンス層側基板および前記蓋部の間の空間を密封する減圧密封工程と、
前記減圧密封工程で密封された前記有機エレクトロルミネッセンス層側基板および前記蓋部の外周の空間を第2圧力に調整して前記有機エレクトロルミネッセンス層側基板および前記蓋部を密着させる密着工程と、
前記蓋部を介してレーザー光を照射して、前記補助電極上に形成された前記有機層を除去して前記接触部を形成する接触部形成工程とを有し、
前記レーザー光を照射するレーザー照射部と、前記有機エレクトロルミネッセンス層側基板とは、相対的に移動を行い、
前記接触部を形成する前記レーザー光の照射回数は前記接触部1箇所あたり1回であり、
前記レーザー光のパルス幅は前記補助電極上の前記有機層を1回の照射で除去可能となるパルス幅であり、
前記レーザー光の波長は紫外光領域の波長であることを特徴とするトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (6件)：
3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107CC45
, 3K107DD03
, 3K107DD37
, 3K107GG28
