特許

J-GLOBAL ID：201503074849552283

フューズ

発明者： コロネル アリストテル マライ
出願人/特許権者： 旭化成エレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 龍華国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-138779
公開番号（公開出願番号）：特開2015-012260
出願日： 2013年07月02日
公開日（公表日）： 2015年01月19日
要約：

【課題】トリミング時にフューズが完全に切断されないことに起因するデバイスの収率低下を改善することを課題とする。【解決手段】本発明の第1の態様においては、例えばN型ポリシリコンであるN型半導体と、N型半導体に隣接した例えばP型ポリシリコンであるP型半導体とを備えるフューズを提供する。上記において、P型半導体は、N型半導体の両側に設けられて、N型半導体とP型半導体によりPNP接合構造を形成してもよい。また、N型半導体は、P型半導体の両側に設けられて、N型半導体と前記P型半導体によりNPN接合構造を形成してもよい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

N型半導体と、前記N型半導体に隣接したP型半導体とを備える、 フューズ。

IPC (1件)：

H01L 21/82

FI (1件)：

H01L21/82 F

Fターム (9件)：

5F064EE27 ,  5F064EE32 ,  5F064FF27 ,  5F064FF28 ,  5F064FF30 ,  5F064FF32 ,  5F064FF45 ,  5F064GG01 ,  5F064GG07