単結晶製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-232927
公開番号（公開出願番号）：特開2015-093793
出願日： 2013年11月11日
公開日（公表日）： 2015年05月18日
要約：

【課題】単結晶製造装置の炉内で使用される黒鉛部品が、Si蒸着物等の付着物を原因として割れてしまうのを簡単に防ぐことができる単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】CZ法による単結晶製造装置の炉内に配置したルツボに収容された原料融液から単結晶を育成する単結晶製造方法であって、前記単結晶を育成するとき、前記単結晶製造装置の炉内に使用する黒鉛部品に、窒化珪素を含有する塗料を塗布して表面に窒化珪素膜を形成したものを用いる単結晶製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

CZ法による単結晶製造装置の炉内に配置したルツボに収容された原料融液から単結晶を育成する単結晶製造方法であって、前記単結晶を育成するとき、前記単結晶製造装置の炉内に使用する黒鉛部品に、窒化珪素を含有する塗料を塗布して表面に窒化珪素膜を形成したものを用いることを特徴とする単結晶製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/06 , C30B 15/10

FI (2件)：

C30B29/06 502B , C30B15/10

Fターム (6件)：

4G077AA02 , 4G077BA04 , 4G077CF10 , 4G077EG02 , 4G077PA11 , 4G077PD01

引用特許：

審査官引用 (5件)

単結晶引き上げ方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-351847 出願人：信越半導体株式会社
シリコン単結晶製造装置および製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-297760 出願人：コマツ電子金属株式会社
特開昭54-157780

全件表示

前のページに戻る