特許
J-GLOBAL ID：201503075153905153
半導体装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
永井 冬紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-211803
公開番号（公開出願番号）：特開2015-076510
出願日： 2013年10月09日
公開日（公表日）： 2015年04月20日
要約：
【課題】半導体装置における回路レイアウトの自由度を向上する。【解決手段】半導体装置は、第1および第2シリコン層1012,1011を絶縁層1013を介在して成るSOI基板101と、SOI基板上の第1シリコン層に形成された回路1、2と、第1シリコン層と絶縁層とを貫通して第2シリコン層に延在し、回路を第2シリコン層に熱的に結合する熱的結合部3とを備える。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
第1および第2シリコン層を絶縁層を介在して成るSOI基板と、
前記SOI基板上の前記第1シリコン層に形成された回路と、
前記第1シリコン層と前記絶縁層とを貫通して前記第2シリコン層に延在し、前記回路を前記第2シリコン層に熱的に結合する熱的結合部とを備える半導体装置。
IPC (2件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
5F038AZ08
, 5F038BB01
, 5F038BG02
, 5F038BH16
, 5F038BH19
, 5F038CA08
, 5F038EZ02
, 5F038EZ06
, 5F038EZ07
, 5F038EZ20
