特許

J-GLOBAL ID：201503077982341030

低ドリフト電子回路

発明者： 梶本 理史
出願人/特許権者： 梶本 理史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-243308
公開番号（公開出願番号）：特開2015-090699
出願日： 2013年11月07日
公開日（公表日）： 2015年05月11日
要約：

【課題】 従来よりも安定な電子回路を従来より安く簡単な回路で高い技術を必要とせずに作れる電子回路を得ること。【解決手段】 前段に(1)従来の電圧安定器を1個もしくは2個以上直列に配し、その後に(1)従来の電圧安定器の負荷となるように(3)バイポーラトランジスタより構成されたアナログ電子回路を繋ぐ。最終段の電圧安定器には、(3)バイポーラトランジスタより構成されたアナログ電子回路のバイポーラトランジスタのベース・エミッタ間の温度変化によるベース・エミッタ間の電圧変化が最終段の電圧安定器の電圧と合うように基準電圧に(2)ダイオードを直列に入れた電源としたものとする。これらを1つの集積回路とした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

前段に(1)従来の電圧安定器を1個もしくは2個以上直列に配し、その後に(1)従来の電圧安定器の負荷となるように(3)バイポーラトランジスタより構成されたアナログ電子回路を繋ぐ。最終段の(1)従来の電圧安定器に、(3)バイポーラトランジスタより構成されたアナログ電子回路のバイポーラトランジスタのベース・エミッタ間の温度変化によるベース・エミッタ間の電圧変化が、最終段の(1)従来の電圧安定器と(2)ダイオードからなる電源の電圧変化と合うように最終段の(1)従来の電圧安定器の基準電圧器に(2)ダイオードを直列に入れた電源としたもの。これらを1つの集積回路としたもの。

IPC (2件)：

G05F 3/02 ,  G05F 3/20

FI (2件)：

G05F3/02 B ,  G05F3/20

Fターム (8件)：

5H420BB04 ,  5H420BB12 ,  5H420CC02 ,  5H420DD02 ,  5H420EA20 ,  5H420EA24 ,  5H420EA39 ,  5H420EB37