特許

J-GLOBAL ID：201503078293310248

窒化物半導体発光チップ、窒化物半導体発光装置及び窒化物半導体チップの製造方法

発明者： 井上 彰 ,  藤田 稔之 ,  藤金 正樹 ,  横川 俊哉
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人前田特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012006754
公開番号（公開出願番号）：WO2013-124924
出願日： 2012年10月22日
公開日（公表日）： 2013年08月29日
要約：

窒化物半導体発光チップ(100)は、窒化物半導体層を有する導電性基板(104)と、窒化物半導体層の主面の上に順次形成されたn型窒化物半導体層(105)、活性層(106)及びp型窒化物半導体層(107)と、導電性基板と接触するように設けられたn側電極(109)とを備えている。導電性基板は、主面と反対側の裏面の互いに分離された位置に形成された複数の凹部(104a)を有している。n側電極は、凹部(104a)の表面の少なくとも一部と接触している。導電性基板の厚さをTとし、凹部の深さをD1とした場合に、深さD1は厚さTの25%以上である。

請求項（抜粋）：

窒化物半導体層を有する導電性基板と、 前記窒化物半導体層の主面の上に形成されたn型窒化物半導体層と、 前記n型窒化物半導体層の上に形成された活性層と、 前記活性層の上に形成されたp型窒化物半導体層と、 前記導電性基板と接触するように設けられたn側電極と、を備えた窒化物半導体発光チップであって、 前記導電性基板は、前記主面とは反対側の裏面の互いに分離された位置に形成された複数の凹部を有し、 前記n側電極は、前記凹部の表面の少なくとも一部と接触し、 前記導電性基板の厚さをTとし、前記凹部の深さをD1とした場合に、深さD1は厚さTの25%以上である、窒化物半導体発光チップ。

IPC (4件)：

H01L 33/22 ,  H01L 33/32 ,  H01L 33/38 ,  H01L 33/48

FI (4件)：

H01L33/00 172 ,  H01L33/00 186 ,  H01L33/00 210 ,  H01L33/00 400

Fターム (34件)：

5F141AA03 ,  5F141AA21 ,  5F141CA05 ,  5F141CA40 ,  5F141CA65 ,  5F141CA74 ,  5F141CA75 ,  5F141CA76 ,  5F141CA93 ,  5F141CB36 ,  5F142AA02 ,  5F142AA05 ,  5F142BA32 ,  5F142CA03 ,  5F142CB03 ,  5F142CD02 ,  5F142CD14 ,  5F142CD15 ,  5F142CD16 ,  5F142CD17 ,  5F142CG03 ,  5F142CG04 ,  5F142CG05 ,  5F142GA21 ,  5F241AA03 ,  5F241AA21 ,  5F241CA05 ,  5F241CA40 ,  5F241CA65 ,  5F241CA74 ,  5F241CA75 ,  5F241CA76 ,  5F241CA93 ,  5F241CB36