特許
J-GLOBAL ID：201503078324466667

半導体装置及びその製造方法

発明者：
中 村 賢 朗

中 村 賢 朗 について

, 
江 澤 弘 和

江 澤 弘 和 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (5件)： 勝沼 宏仁 ,  佐藤 泰和 ,  川崎 康 ,  関根 毅 ,  大浦 裕美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-152523
公開番号（公開出願番号）：特開2015-023235
出願日： 2013年07月23日
公開日（公表日）： 2015年02月02日
要約：
【課題】デバイス基板面内での接続電極間のピッチをより狭くしつつ、デバイス基板間の接続電極の接合の強度を高めることができる半導体装置及びその形成方法を提供する。【解決手段】第1の半導体基板1に開口部を形成し、開口部に第1の金属を埋め込み、第1の金属と比べて、第1の半導体基板1上の開口部周囲の領域の研磨レートが大きくなる条件で化学的機械研磨することにより、第1の半導体基板1から突出した形状を持つ第1の接続電極102を形成し、第1の半導体基板1と、第2の接続電極202が設けられた第2の半導体基板2とを、第1及び第2の接続電極102、202が向かい合うように積層し、加圧及び加熱することにより、第1及び第2の接続電極102、202を拡散接合する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
第1の半導体基板に開口部を形成し、 前記開口部に第1の金属を埋め込み、 前記第1の金属と比べて、前記第1の半導体基板上の前記開口部周囲の領域の研磨レートが大きくなる条件で化学的機械研磨することにより、前記第1の半導体基板から突出した形状を持つ第1の接続電極を形成し、 前記第1の半導体基板と、第2の接続電極が設けられた第2の半導体基板とを、前記第1及び第2の接続電極が向かい合うように積層し、加圧及び加熱することにより、前記第1及び第2の接続電極を拡散接合する、 ことを備える半導体装置の製造方法。
IPC (8件)：
H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/60 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522
FI (7件)：
H01L25/08 B ,  H01L21/304 622X ,  H01L21/304 621D ,  H01L21/304 622F ,  H01L21/60 311Q ,  H01L21/88 J ,  H01L21/88 T
Fターム (30件)：
5F033JJ11 ,  5F033JJ33 ,  5F033NN05 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN19 ,  5F033PP06 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS04 ,  5F033TT06 ,  5F033TT07 ,  5F033VV07 ,  5F044KK05 ,  5F044LL00 ,  5F044QQ04 ,  5F057AA11 ,  5F057BA19 ,  5F057BA22 ,  5F057BB23 ,  5F057BB33 ,  5F057BB37 ,  5F057DA03 ,  5F057EB13
引用特許：
審査官引用 (3件)

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