特許

J-GLOBAL ID：201503078684740514

炭化珪素半導体装置およびその製造方法

発明者： 神原 健司 ,  和田 圭司
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-127284
公開番号（公開出願番号）：特開2015-002315
出願日： 2013年06月18日
公開日（公表日）： 2015年01月05日
要約：

【課題】電極とp型領域の接触抵抗を低減可能である炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素半導体装置1は、炭化珪素層10と、絶縁層2と、電極50とを備えている。炭化珪素層10は、第1の主面10aに接する第1のp型領域5bと、第1のp型領域5bと接し、かつ第1の主面10aに接する第1の第1のn型領域14とを含む。絶縁層2は、第1の主面10aにおいて第1のp型領域5bと接する。電極50は、第1の主面10aにおいて第1の第1のn型領域14とショットキー接合し、かつ絶縁層2と接する。電極50は、絶縁層2の第4の主面3aと接し、かつ平面視において絶縁層2の側面3cを取り囲むように側面3cと接する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の主面と、前記第1の主面と反対側の第2の主面とを有し、前記第1の主面に接する第1のp型領域と、前記第1のp型領域と接し、かつ前記第1の主面に接する第1のn型領域とを含む炭化珪素層と、 前記第1の主面において前記第1のp型領域と接する絶縁層と、 前記第1の主面において前記第1のn型領域とショットキー接合し、かつ前記絶縁層と接する電極とを備え、 前記絶縁層は、前記第1の主面と接する第3の主面と、前記第3の主面と反対側の第4の主面と、前記第3の主面および前記第4の主面を繋ぐ側面とを含み、 前記電極は、前記絶縁層の前記第4の主面と接し、かつ平面視において前記絶縁層の前記側面を取り囲むように前記側面と接する、炭化珪素半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/47 ,  H01L 29/872

FI (2件)：

H01L29/48 F ,  H01L29/48 D

Fターム (26件)：

4M104AA03 ,  4M104BB05 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104CC03 ,  4M104DD08 ,  4M104DD09 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD30 ,  4M104DD79 ,  4M104DD81 ,  4M104EE02 ,  4M104EE14 ,  4M104EE17 ,  4M104FF01 ,  4M104FF06 ,  4M104FF26 ,  4M104FF31 ,  4M104FF32 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104HH15