特許

J-GLOBAL ID：201503079436689193

エッチング終了検出方法及び装置

発明者： 冨澤 浩 ,  古市 卓也
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (2件)： 廣瀬 一 ,  田中 秀▲てつ▼
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012007255
公開番号（公開出願番号）：WO2013-073160
出願日： 2012年11月12日
公開日（公表日）： 2013年05月23日
要約：

SOI基板のエッチング終了位置を開口幅にかかわらず正確に検出するエッチング終了検出方法を提供する。絶縁層上にシリコン層が配置されたSOI基板における前記シリコン層に前記絶縁層に達する環状の開口部をエッチングする際のエッチング終了検出方法であって、前記エッチングによって形成される開口部で囲まれる島状領域の表面に第1の電極層を形成するとともに、縞状領域の外側の領域に第2の電極層を形成してエッチング終了検出領域を形成し、前記第1の電極層及び前記第2の電極層間の電気抵抗を計測し、当該電気抵抗が予め設定した閾値を超えたときにエッチング終了位置に達したと判定する。

請求項（抜粋）：

絶縁層上に導電性のシリコン層が配置されたSOI基板における前記シリコン層に前記絶縁層に達する開口部をエッチングする際のエッチング終了検出方法であって、 前記エッチングによって形成される環状開口部で囲まれる島状領域の表面に第1の電極部を配置するとともに、前記島状領域の外側の領域に第2の電極部を配置してエッチング終了検出部を構成し、前記第1の電極部及び前記第2の電極部間の電気抵抗を計測し、当該電気抵抗が予め設定した閾値を超えたときにエッチング終了位置に達したと判定することを特徴とするエッチング終了検出方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  B81C 1/00

FI (2件)：

H01L21/302 103 ,  B81C1/00

Fターム (7件)：

3C081CA14 ,  3C081CA16 ,  3C081DA04 ,  3C081EA02 ,  5F004CB08 ,  5F004CB15 ,  5F004DB01