特許
J-GLOBAL ID:201503080804025800

配線構造及びその形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 岡本 啓三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-216015
公開番号(公開出願番号):特開2015-079850
出願日: 2013年10月17日
公開日(公表日): 2015年04月23日
要約:
【課題】銅配線の酸化を抑制できて信頼性が高い配線構造の形成方法を提供する。【解決手段】まず、基板の上方に形成された樹脂膜に開口部を形成し、樹脂膜の上、並びに開口部の側壁部及び底部に銅合金によりなるシード層15を形成する。次に、シード層15の上に銅膜を形成し、開口部14a内に銅を充填して配線17を得る。次いで、熱処理を施して配線17の側部のシード層15を酸化させ、金属酸化膜31を形成する。【選択図】図12
請求項(抜粋):
基板の上方に樹脂膜を形成する工程と、 前記樹脂膜に開口部を形成する工程と、 前記樹脂膜の上、並びに前記開口部の側壁部及び底部に銅合金よりなるシード層を形成する工程と、 前記シード層の上に銅膜を形成し、前記開口部内に銅を充填する工程と、 前記樹脂膜が露出するまで前記銅膜及び前記シード層を除去し、前記開口部内に残留した銅よりなる配線を得る工程と、 熱処理を施して前記配線の側部に残留する前記シード層を酸化させて金属酸化膜を形成する工程と を有することを特徴とする配線構造の形成方法。
IPC (3件):
H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/532
FI (1件):
H01L21/88 M
Fターム (42件):
5F033HH07 ,  5F033HH12 ,  5F033HH15 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH35 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ15 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033KK07 ,  5F033KK12 ,  5F033KK15 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK21 ,  5F033MM01 ,  5F033MM05 ,  5F033MM10 ,  5F033MM13 ,  5F033NN03 ,  5F033NN05 ,  5F033NN07 ,  5F033NN19 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ76 ,  5F033QQ89 ,  5F033RR03 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR27 ,  5F033SS26 ,  5F033SS27 ,  5F033WW04 ,  5F033XX20 ,  5F033XX28

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