特許

J-GLOBAL ID：201503081635114552

化合物半導体超微粒子の製造方法

発明者： 藤平 紀一
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 國弘 安俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-143351
公開番号（公開出願番号）：特開2015-017000
出願日： 2013年07月09日
公開日（公表日）： 2015年01月29日
要約：

【課題】粗粒の生成が抑制されて超微粒子の収率を向上させることができ、かつ良好な分散安定性を有する信頼性の良好な化合物半導体超微粒子の製造方法を実現する。【解決手段】Cu、Zn、Snの各金属元素をそれぞれ含有した第1〜第3のジアルキルジチオカルバミン酸化合物を、ドデカンチオール等の脂肪族チオール中で加熱溶解させ、例えば、第1〜第3のジアルキルジチオカルバミン酸化合物の分解温度乃至分解温度の近傍温度となるような所定の加熱温度に達した時点で、オレイルアミン等の脂肪族アミンを添加し、化学式Cu2ZnSnS4で表される化合物半導体の超微粒子を作製する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

Cu、Zn、Snの各金属元素をそれぞれ含有した第1〜第3のジアルキルジチオカルバミン酸化合物を、脂肪族チオール中で加熱溶解させ、所定の加熱温度に達した時点で脂肪族アミンを添加し、化合物半導体の超微粒子を作製することを特徴とする化合物半導体超微粒子の製造方法。

IPC (1件)：

C01G 19/00

FI (2件)：

C01G19/00 A ,  C01G19/00 Z

Fターム (6件)：

4H001CA02 ,  4H001CF01 ,  4H001XA16 ,  4H001XA29 ,  4H001XA30 ,  4H001XA50