特許

J-GLOBAL ID：201503083876813152

炭化珪素材料、炭化珪素材料の製造方法

発明者： 中村 将基 ,  川本 聡
出願人/特許権者： 株式会社アドマップ ,  三井造船株式会社
代理人 (1件)： グローバル・アイピー東京特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-126860
公開番号（公開出願番号）：特開2015-000836
出願日： 2013年06月17日
公開日（公表日）： 2015年01月05日
要約：

【課題】70〜200Ω・cm程度の抵抗率を有するSiC材料を提供する。【解決手段】炭化珪素材料は、CVD法により作成された、3C型の結晶多形からなる炭化珪素材料であって、窒素濃度が1×1017〜1×1019個/cm3であり、B含有量が0.8〜1.5ppmであり、抵抗率が70〜200Ω・cmであることを特徴とすることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

CVD法により作成され、3C型の結晶多形からなる炭化珪素材料であって、 窒素濃度が1×1017〜1×1019個/cm3であり、 B含有量が0.8〜1.5ppmであり、 抵抗率が70〜200Ω・cmであることを特徴とする炭化珪素材料。

IPC (4件)：

C30B 29/36 ,  C30B 25/16 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/01

FI (4件)：

C30B29/36 A ,  C30B25/16 ,  C23C16/42 ,  C23C16/01

Fターム (25件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB03 ,  4G077AB06 ,  4G077BE08 ,  4G077DB07 ,  4G077DB09 ,  4G077EA05 ,  4G077EB01 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA12 ,  4G077TC01 ,  4G077TC02 ,  4G077TC06 ,  4G077TC08 ,  4K030AA06 ,  4K030AA07 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA37 ,  4K030BB03 ,  4K030CA01 ,  4K030FA10 ,  4K030KA45